市川 昌和 | Jrcat-atp
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概要
関連著者
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市川 昌和
Jrcat-atp
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市川 昌和
日立中研
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土井 隆久
日立中研
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早川 和延
日立中研
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市川 昌和
Jrcat
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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中原 仁
日立中研
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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塩川 善郎
JRCAT(アトムテクノロジー研究体)-ATP
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
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吉田 清輝
古河電気工業(株)
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藤田 研
Jrcat-atp : (現)沖電気
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川瀬 進
日立中研
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王 徳亮
JRCAT
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李 江
古河電工
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吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
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李 江
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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市川 昌和
東大工
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柴田 元司
Rwcp適応デバイス
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柴田 元司
Jrcat-atp
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柴田 元司
東北大工
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大倉 理
日立中研
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新田 芳基
JRCAT-ATP
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市川 昌和
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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藤田 研
アトムテクノロジー研究体
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楠見 之博
アトムテクノロジー研究体
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
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石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社横浜研究所
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市川 昌和
(株) 日立製作所中央研究所
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市川 昌和
(株) 日立製作所・中央研究所
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宮尾 正信
日立中研
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一宮 彪彦
名大工
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藤田 健
Jrcat-atp : (現)沖電気工業
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吉田 清輝
古河電工(株)横浜研究所
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
日立中研
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細木 茂行
日立中研
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中原 仁
名大院工
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一宮 彪彦
名古屋大学工学部
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中原 仁
名大工
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二宮 健
日立中研
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田中 唯真
日立中研
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Stoyanov Stoyan
日立中研
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Stoyanov S
日立中研
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茂庭 昌弘
日立中研
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菊地 俊雄
日電アネルバ株式会社
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李 江
古河電工(株)横浜研究所
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細木 茂行
日立製作所中央研究所
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市橋 幹雄
日立中研
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菊地 俊雄
日電アネルバ (株)
著作論文
- 24aY-2 ナノメータスケールSi(001)開口部に選択成長したSi結晶のファセット形成
- 24aY-1 極薄酸化膜を用いたSi(001)上のGeの選択成長のSTM観察
- 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
- Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
- 28p-PSB-18 μ-RHEED/STMによるGa吸着Si(111)表面の観察
- 25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
- 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察
- 28p-ZF-2 μRHEED法によるSi-MBE成長の観察と制御
- 28a-ZS-8 MBE成長の計算機シミュレーション : Critical terrace width と Denuded zone
- 29p-BPS-35 Ga/Si(111)表面へのシリコンMBE成長
- 27a-ZD-2 Si(001)-2×1表面構造化機構の直接通電加熱及び輻射加熱による研究
- 2p-E-10 傍熱加熱時におけるSi(001)表面構造変化の観察
- 1p-TA-2 Si(001)表面の単原子ステップに及ぼす試料電流の効果
- 4a-T-4 Si(001)表面エレクトロマイグレーションのMicro-probeRHEED法による観察
- 4a-B4-3 Si/Si(001)表面のマイクロプローブRHEED法による観察II
- 走査型反射電子回折顕微鏡によるSiの分子線エピタキシャル成長の観察
- 30a-D-5 Si/Si(111)表面のマイクロプローブRHEED法による観察
- 1p-S-4 Micro-probe RHEED-AES法によるAl/Si(111)表面の観察
- 結晶試料用走査型反射電子回折顕微鏡
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による結晶表面の観察
- 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
- 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
- ステンレス鋼表面におけるH_2O付着確率の表面状態依存性
- 小片試料表面からの吸着性放出ガスの計測法
- 無振動クライオポンプの開発
- コンダクタンス変調法による各種ポンプの排気速度特性評価
- 表面分析講座-22完-反射高速電子線回折法
- 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
- 28p-WB-5 Ga吸着Si(111)表面のステップダイナミックスと制御
- Gaの昇温脱離現象を利用したSi(111)面上細線構造の自己組織化
- ビ-ムを用いた固体表面のキャラクタリゼ-ション--電子ビ-ムによる表面過程の原子レベル計測--研究開発に大きな役割を果たすビ-ム技術 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による表面研究
- 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
- 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
- 3a-U-10 μ-RHEED・AES装置による多結晶シリコン表面の観察
- 28a-P-5 μ-RHEED による多結晶シリコン表面の結晶面方位の決定
- 5a-BK-5 中高速反射電子回折強度のLaue表示による数値計算法
- 1a-BF-5 超高真空下での非鏡面表面試料による反射電子回折
- 9a-Z-7 一般化されたBetheポテンシャル法の反射電子回折強度計算への応用
- 9a-Z-6 非鏡面表面による反射電子回折
- 6p-H-6 一般化されたBetheポテンシャル
- 6a-H-10 反射型電子回折におけるラウエケース菊地線
- 4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプローブ反射電子回折法による表面研究