土井 隆久 | 日立中研
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概要
関連著者
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土井 隆久
日立中研
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市川 昌和
Jrcat-atp
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市川 昌和
日立中研
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早川 和延
日立中研
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宮尾 正信
日立中研
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石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
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石坂 彰利
日立中研
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細木 茂行
日立中研
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二宮 健
日立中研
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中原 仁
日立中研
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茂庭 昌弘
日立中研
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市川 昌和
Jrcat
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細木 茂行
日立製作所中央研究所
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市橋 幹雄
日立中研
著作論文
- Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
- 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察
- 27a-ZD-2 Si(001)-2×1表面構造化機構の直接通電加熱及び輻射加熱による研究
- 2p-E-10 傍熱加熱時におけるSi(001)表面構造変化の観察
- 1p-TA-2 Si(001)表面の単原子ステップに及ぼす試料電流の効果
- 4a-T-4 Si(001)表面エレクトロマイグレーションのMicro-probeRHEED法による観察
- 4a-B4-3 Si/Si(001)表面のマイクロプローブRHEED法による観察II
- 走査型反射電子回折顕微鏡によるSiの分子線エピタキシャル成長の観察
- 30a-D-5 Si/Si(111)表面のマイクロプローブRHEED法による観察
- 1p-S-4 Micro-probe RHEED-AES法によるAl/Si(111)表面の観察
- 結晶試料用走査型反射電子回折顕微鏡
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による結晶表面の観察
- 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
- 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
- 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
- 3a-F4-12 Si/Si(100)表面のMicro-probe RHEED法による観察(表面・界面)