4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 宮尾 正信

  日立中研

• 石坂 彰利

  株式会社日立製作所中央研究所

• 石坂 彰利

  日立中研

• 市川 昌和

  Jrcat-atp

• 土井 隆久

  日立中研

• 市川 昌和

  日立中研

• 茂庭 昌弘

  日立中研

関連論文

• 海外放射光施設の動向 - マイクロビームの可能性を探る -
• Al蒸着膜へのAu線熱圧着性に及ぼすAl酸化被膜の影響
• 半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着
• AuとAlの熱圧着における接合界面の変形と新生面の生成
• 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
• 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
• 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
• Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
• Si-SiO2界面状態の分析 (「粒界・相界面」)
• X線照射による絶縁被膜の帯電
• ESCAで測定されたSi酸化膜の化学シフト
• ESCAで測定する絶縁薄膜の化学シフトに対する疑問
• 分子線エピタキシーにおける結晶成長モードと成長温度
• 24aY-2 ナノメータスケールSi(001)開口部に選択成長したSi結晶のファセット形成
• 24aY-1 極薄酸化膜を用いたSi(001)上のGeの選択成長のSTM観察
• 2a-B-1 超高濃度Si:Pの物性 (III) : 光学的性質
• 30a-K-12 超高濃度Si:Pの物性(II) : 電気的特性
• 2a-B-14 超高濃度Si: Pのfree carrier吸収
• 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
• Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
• 28p-PSB-18 μ-RHEED/STMによるGa吸着Si(111)表面の観察
• 25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
• 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察
• 28p-ZF-2 μRHEED法によるSi-MBE成長の観察と制御
• 28a-ZS-8 MBE成長の計算機シミュレーション : Critical terrace width と Denuded zone
• 29p-BPS-35 Ga/Si(111)表面へのシリコンMBE成長
• 27a-ZD-2 Si(001)-2×1表面構造化機構の直接通電加熱及び輻射加熱による研究
• 2p-E-10 傍熱加熱時におけるSi(001)表面構造変化の観察
• 1p-TA-2 Si(001)表面の単原子ステップに及ぼす試料電流の効果
• 4a-T-4 Si(001)表面エレクトロマイグレーションのMicro-probeRHEED法による観察
• 4a-B4-3 Si/Si(001)表面のマイクロプローブRHEED法による観察II
• 走査型反射電子回折顕微鏡によるSiの分子線エピタキシャル成長の観察
• 30a-D-5 Si/Si(111)表面のマイクロプローブRHEED法による観察
• 1p-S-4 Micro-probe RHEED-AES法によるAl/Si(111)表面の観察
• 結晶試料用走査型反射電子回折顕微鏡
• マイクロプロ-ブ反射電子回折法による結晶表面の観察
• 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
• 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
• ステンレス鋼表面におけるH_2O付着確率の表面状態依存性
• 小片試料表面からの吸着性放出ガスの計測法
• 無振動クライオポンプの開発
• コンダクタンス変調法による各種ポンプの排気速度特性評価
• 表面分析講座-22完-反射高速電子線回折法
• 30a-B-13 アモルファスシリコンの軟X線反射スペクトル
• 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
• 3a-J-5 Poly Si薄膜内欠陥の水素終端 : 昇温熱脱離と電子スピン共鳴による検討
• 4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー
• 28p-WB-5 Ga吸着Si(111)表面のステップダイナミックスと制御
• Gaの昇温脱離現象を利用したSi(111)面上細線構造の自己組織化
• ビ-ムを用いた固体表面のキャラクタリゼ-ション--電子ビ-ムによる表面過程の原子レベル計測--研究開発に大きな役割を果たすビ-ム技術 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
• ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
• 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• Si-MBE成長への試料電流効果
• マイクロプロ-ブ反射電子回折法による表面研究
• 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
• 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
• 3a-U-10 μ-RHEED・AES装置による多結晶シリコン表面の観察
• 28a-P-5 μ-RHEED による多結晶シリコン表面の結晶面方位の決定
• 5a-BK-5 中高速反射電子回折強度のLaue表示による数値計算法
• 1a-BF-5 超高真空下での非鏡面表面試料による反射電子回折
• 9a-Z-7 一般化されたBetheポテンシャル法の反射電子回折強度計算への応用
• 9a-Z-6 非鏡面表面による反射電子回折
• 6p-H-6 一般化されたBetheポテンシャル
• 6a-H-10 反射型電子回折におけるラウエケース菊地線
• 4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
• シリコンのレ-ザ-・アニ-ル(固体物理の応用)
• ビ-ムアニ-ル技術とそのデバイス応用
• イオン打込み層のレ-ザ-・アニ-リング
• Si-MBE成長への試料電流効果
• マイクロプローブ反射電子回折法による表面研究
• 3a-F4-12 Si/Si(100)表面のMicro-probe RHEED法による観察(表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク