2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-09-14
著者
-
小林 啓介
光共研
-
大門 寛
東大物性研
-
村田 好正
東大物性研
-
小林 啓介
日立中研
-
大門 寛
阪大基礎工
-
石坂 彰利
株式会社日立製作所中央研究所
-
石坂 彰利
日立中研
-
菅城 象二郎
日立中研
-
白木 靖寛
日立中研
関連論文
- 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
- 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
- 30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
- 3a-W-10 PF BL-18Aにおける高分解能角度分解光電子分光
- 7a-B-12 パルス電場変調によるサイクロトロン共鳴
- 27a-E-8 角度分解光電子分光によるNO/Pt(001)表面の研究
- 25p-PS-46 Si(001)清浄表面の構造相転移
- 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
- 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
- 3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 28p-PSB-30 Au(001)表面逆再構成と吸着塩素層
- 29p-G-1 Au(001)上での塩素の超格子構造
- 31p-M-13 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜Hf/Feの研究
- 3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 31p-F-4 価電子状態と内殻励起
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
- 31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 1a-YA-8 Au(001)上の原子状水素の挙動
- 1a-H-9 H/Si(111)とH/W(001)へのAg蒸着と水素の拳動 : 共鳴核反応による測定
- 27p-ZF-11 共鳴核反応によるSi表面及び界面の水素の分析
- 27p-ZF-9 表面近傍における水素の動的挙動
- 25p-PS-32 W(110)表面上の水素の挙動
- 30p-SPS-22 負イオン生成の新しい試み
- 3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
- 4a-T-1 熱エネルギーミュオニウム放出における表面効果II
- 5a-PS-41 Al(001)上のカリウム吸着 : 温度依存性
- 2p-T-1 Ag(001)上のアルカリ金属吸着 : 温度による違い
- 29a-Y-12 Cu(100)上へのK吸着とその上へのCO吸着 I
- 4p-NM-4 Cu(100)上吸着したCOとN^+ビームとの素反応過程の研究
- 11a-M-10 イオン-分子反応(CO_2^++D_2=DCO_2^++D)の反応断面積のエネルギー依存性
- 東大物性研における静電型低速陽電子ビームの開発
- 3p-J-11 Pt(111)-Ge表面合金層の電子構造とNO吸着
- 31p-J-10 Pt・Ge表面合金層上のNOとCOの吸着と脱離
- Cu(001)表面に吸着したK原子層に見られる非整合構造と相転移(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
- 特集にあたって(表面物性 I. 表面界面の諸問題)
- 30p-P-2 四塩化炭素の柔粘性結晶の構造
- 30p-L-13 CuFeS_2の共鳴光電子分光
- 31p KA-10 MgO(001)面の低速電子エネルギー損失スペクトル
- 1a GB-6 低速電子線照射によるMgO (001) 面からの発光
- 5a-BK-7 MgO(001)の紫外光電子分光の回折効果
- 10a-Z-9 エネルギー分散型X線回折装置による水の構造解析
- 28a-K-12 飛行時間型2次電子放出分光によるMgO(100)表面近傍の電子状態・格子振動の測定
- 2p-D-6 UHV飛行時間電子分光装置の開発
- 31a-L-3 飛行時間電子分光法によるNiO(100),MgO(l00)の表面格子振動の観測
- 2p-NM-9 飛行時間法電分光によるSi(100)酸化面の測定
- 低速電子線回折とspin polarization : X線・粒子線
- 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定 : X線・粒子線
- 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定装置 : X線粒子線
- 5軸型低速電子回折計の試作 : X線粒子線
- 15a-H-4 低速電子廻折における散乱因子
- 15a-H-3 低速電子線回折におけるDebye温度のBethe potential効果
- 15a-H-2 数kV電子の結晶による回折I : 反射の半価巾
- 15a-H-1 1000eV程度の電子線を用いた回折装置の製作
- 31a GC-4 MnPおよびMnSiの極紫外光電子スペクトル
- 31a GF-5 シンクロトロン放射を用いた光電子分光実験
- 30a-ZF-8 Cl/Si(111)7x7 の 紫外レーザーエッチング
- 29p-BPS-36 Si(100)におけるアルカリ吸着 : FI-STM/STS
- 27p-E-7 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 24p-R-11 Cl/Si(111)7x7のSTM/STS
- 5a-PS-19 FI-STMによるSi(111)のハロゲン吸着
- 30a-E-1 ポジトロニウム形成を利用した表面原子脱離分光の理論
- 31p-J-2 TOF-ESDによるPt(100)上の水素の振舞い
- 1a-BH-4 MgO(001)表面の電子状態 I
- 6a-L-10 MgO(001)での低速電子のエネルギー損失スペクトル
- 13a-PS-25 STM法を用いた摩擦力の測定
- 28a-WB-8 超低速イオンビームによるK/A1(110)表面のスパッタリング
- 12a-DH-13 超低速イオンビームによるAl表面のスパッタリングIII
- 第7回真空科学国際会議および第3回固体表面国際会議
- 1a-YA-7 表面水素の動的ふるまい
- 31p-PSB-71 超低速イオン散乱から求めた反発ポテンシャル
- 30p-S-4 Pt(111)表面におけるNOのレーザー光励起過程
- 28a-S-1 真空蒸着による金属-絶縁体-金属トンネル陰極の作成
- 5a-R-3 紫外光照射によるNO/Pt(111)系でNOの解離の研究
- 5a-R-2 レーザー誘起脱離での中間励起状態の寿命の測定
- 27p-ZF-4 共鳴多光子イオン化法による白金(001)からの一酸化炭素の紫外レーザー刺激脱離の研究
- 31a-L-5 InSb(110)表面における内殻準位シフト
- 28a-Z-3 塩素吸着によるAu(001)5×20 表面の構造変化
- 27p-ZF-7 Au(001)-5×20表面のカリウム原子吸着誘起再構成
- IX-ii) 液体構造と非晶質構造 : ―四塩化炭素とベンゼンの場合―
- 1p-U-13 SOR光を用いたMgO(100),(110)面の光電子分光および帯電効果
- 1p-TA-10 FI-STMによるSi(001)上のアルカリ吸着
- 固体表面の電子分光学的研究
- 29p-G-2 超低速イオンビームによるA1表面のスパッタリングII
- 29p-PS-11 D_2・イオンの解離性散乱
- 30a-E-9 超低速イオンビームによるAl(111)表面のスパッタリング
- 27a-R-10 超低速N_2^+およびN^+イオンとAl(111)表面の相互作用
- 26p-R-1 吸着誘起相転移
- 30a-BE-9 Si(100)上のアルカリ金属吸着層の角度分解電子エネルギー損失スペクトル