5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
-
12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
-
30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
-
7a-B-12 パルス電場変調によるサイクロトロン共鳴
-
3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
-
27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
-
30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
-
30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
-
31p-F-4 価電子状態と内殻励起
-
30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
-
2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
-
3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
-
31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
-
5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
-
1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
-
13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
-
2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
-
4a-E-10 Si-Al 界面の結合状態 III
-
4a-E-9 Si-Al 界面の結合状態 II
-
30p-D-2 IV-VI族半導体における立方晶-長方晶相転移と化学結合
-
28a-E-9 シンクロトロン放射によるAl/Si界面の研究
-
9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
-
9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
-
4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
-
5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
-
5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
-
微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
-
5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
-
5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
-
5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
-
10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
-
4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
-
12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
-
12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
-
3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
-
3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
-
23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
-
3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
-
n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
-
フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
-
2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
-
6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
-
29a-A-3 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常 II
-
1p-PS-22 アモルファスシリコンのラマン散乱強度の光照射効果
-
12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
-
27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
-
シンクロトロン放射を利用した光電子分光
-
7a-U-6 n型反転層伝導電子の低温における局在化
-
3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
-
22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
-
28a-F-13 多重量子細線の電気伝導特性
-
4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー
-
31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
-
30a-D-12 Si中の電子正孔液滴の発生に及ぼす不純物、格子欠陥の効果
-
5p-LT-5 中間濃度領域におけるSi:Pのフォトルミネセンス
-
5p-LT-4 スワール欠陥を有するSi中の電子・正孔液滴
-
11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
-
6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
-
5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
-
3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
-
1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
-
ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
-
4a-NL-7 XPSおよび赤外吸収によるa-Si:F中のSi-Fボンドの検討(II)
-
2a-W-25 XPSによるアモルファス・シリコン中の不活性元素の"結合状態"の検討
-
29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_: Hの結合状態の検討 (II)
-
XPSによるa-SixC1-X:H合金の組成分析
-
4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
-
31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
-
反応性スパッタリング法によるa-SixC1-x:H"混非晶"の作成といくつかの性質
-
POLY-Si TFTを用いた液晶スィッチマトリックスアレイ
-
6-6 多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた10×10画素液晶ディスプレイ
-
InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
-
1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
-
4a-A-8 ジシランから形成したアモルファスシリコン膜の構造
-
31a-F-3 化学結合状態と構造
-
1p-B-15 赤外吸収スペクトルによるa-Siの結合状態の検討
-
31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
-
3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
-
原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
-
4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
-
31a-L-5 InSb(110)表面における内殻準位シフト
-
4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
-
9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
-
18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
-
InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
-
シンクロトロン放射を利用した光電子分光
-
2a-H-5 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性II
-
29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク