29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_<1-x>: Hの結合状態の検討 (II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-03-12
著者
関連論文
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
- 9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
- 9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
- 4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
- 5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
- 5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
- 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
- 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
- 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
- 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
- 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
- 6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
- 29a-A-3 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常 II
- 1p-PS-22 アモルファスシリコンのラマン散乱強度の光照射効果
- 12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 7a-U-6 n型反転層伝導電子の低温における局在化
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
- 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
- 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
- 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
- ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
- 多波長X線反射率法による積層フェリ型SV膜の層構造解析
- 複数波長を用いた多波長X線反射率法の検討
- 4a-NL-7 XPSおよび赤外吸収によるa-Si:F中のSi-Fボンドの検討(II)
- 2a-W-25 XPSによるアモルファス・シリコン中の不活性元素の"結合状態"の検討
- 29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_: Hの結合状態の検討 (II)
- XPSによるa-SixC1-X:H合金の組成分析
- 4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
- 31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
- 反応性スパッタリング法によるa-SixC1-x:H"混非晶"の作成といくつかの性質
- 非結晶体の電顕像にあらわれる色収差 : X線, 粒子線
- CoCrTa垂直磁気記録媒体における組成分離
- TlSr_2Ca_Y_xCu_2O__ (x=0〜1.0)の超電導性に及ぼす酸素量変化δの影響
- 31p-PS-65 TlSr_2Ca_Y_xCu_2O_7(X=0〜1.0)の低温X線回折測定
- 4a-A-8 ジシランから形成したアモルファスシリコン膜の構造
- 31a-F-3 化学結合状態と構造
- 1p-B-15 赤外吸収スペクトルによるa-Siの結合状態の検討
- 31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
- 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
- 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
- 4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
- 4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
- 9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
- 18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
- InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
- ナノテクノロジー : 私達の生活とナノエレクトロニクス : CDプレーヤーや携帯電話にナノテクノロジーが生きている
- 固体物理の応用 単一電子素子
- 構造--中距離秩序 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
- まえがき ( 「光ディスクの物理」)
- XPSによるa-SixC1-x : H合金の組成分析
- 2a-H-5 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性II
- 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))