4p-B-15 a-Si_xC<1-x> : H の構造

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1979-09-15

著者

• 小松原 毅一

  日立中研

• 片山 良史

  日立中研

• 嶋田 寿一

  日立中研

• 宇佐見 勝久

  日立 中研

• 宇佐見 勝久

  日立中研

関連論文

• 4a-WB-2 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による吸収分光
• 4a-WB-1 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による結晶解析
• 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
• 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
• 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
• 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
• 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
• 13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
• 30p-D-2 IV-VI族半導体における立方晶-長方晶相転移と化学結合
• 9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
• 9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
• 4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
• 5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
• 5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
• 微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
• 5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
• 5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
• 5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
• 10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
• 4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
• 12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
• 12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
• 3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
• 3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
• 23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
• 6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
• 29a-A-3 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常 II
• 1p-PS-22 アモルファスシリコンのラマン散乱強度の光照射効果
• 12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
• 27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
• 7a-U-6 n型反転層伝導電子の低温における局在化
• 3p-KL-4 SnTe;Pb_Sn_xTeの相転移
• 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
• 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
• 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
• 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
• 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
• 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
• 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
• 3p-H-3 n-InSbにおける強磁場中のhot electronのマイクロ波photoconductivity
• ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
• 4a-M-1 Magnetic Quantum LimitにおけるSi-MOS表面量子化準位
• 4a-H-5 n-Si反転層内のMagnetoconductivity
• 4a-NL-7 XPSおよび赤外吸収によるa-Si:F中のSi-Fボンドの検討(II)
• 2a-W-25 XPSによるアモルファス・シリコン中の不活性元素の"結合状態"の検討
• 29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_: Hの結合状態の検討 (II)
• XPSによるa-SixC1-X:H合金の組成分析
• 4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
• 31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
• 反応性スパッタリング法によるa-SixC1-x:H"混非晶"の作成といくつかの性質
• 非結晶体の電顕像にあらわれる色収差 : X線, 粒子線
• n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)
• 4a-A-8 ジシランから形成したアモルファスシリコン膜の構造
• 31a-F-3 化学結合状態と構造
• 1p-B-15 赤外吸収スペクトルによるa-Siの結合状態の検討
• 31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
• 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
• 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
• 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
• 7p-B-2 SiMOS反転層中の伝導電子の局在状態:閾値電圧附近の電気伝導度異常の一つの説明
• 4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
• 4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
• 9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
• 9a-B-14 InSb表面反転層の磁気抵抗振動現象と表曲量子効果
• 4a-TC-1 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity(II)
• 2p-TC-1 n型Sbのホットエレクトロンによるマイクロ波photo-conductivity(III)
• 18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
• InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
• 3p-H-4 n型InSbの量子極限におけるホットエレクトロンによる非線形特性
• 6a-G-6 ホットエレクトロンのQuantum Transport
• n-InSbの量子限界に於ける電流発振 : 半導体(不安定性)
• ナノテクノロジー : 私達の生活とナノエレクトロニクス : CDプレーヤーや携帯電話にナノテクノロジーが生きている
• 固体物理の応用 単一電子素子
• 構造--中距離秩序 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• まえがき ( 「光ディスクの物理」)
• XPSによるa-SixC1-x : H合金の組成分析
• 3p-H-2 InSbのホットエレクトロンの表面量子輸送現象
• n-InSbの量子極限における非線型特性(I) : 半導体 : 不安定性
• 補償されたGermaniumの負性抵抗の磁場による影響 : 半導体
• G. Dearnaley, J. H. Freeman, R. S. Nelson and J. Stephen : Ion Implantation, North-Holland, Amsterdam and London, 1973, xv+802ページ, 23×16cm, 29,250円 (Series, Defects in Crystalline Solids, Vol. 8).
• B. L. Crowder編 : Ion Implantation in Semi-conductors and Other Materials, Plenum Press, New York and London, 1973, xii+657ページ, 26×17.5cm, 12,950円 (The IBM Research Symposia Series).
• Si表面反転層内の電気伝導現象
• 2a-H-5 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性II
• 14a-K-1 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性
• 8p-F-10 補償されたGeのマイクロ波電導度
• Compensated GeのCarrier Lifetime : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• P-Geのimpurity breakdown ; impurity Conductionのuniaxial stressによる変化 : 半導体(Si, Ge)
• 5a-A-6 補償されたゲルマニウムの磁場発振及び圧力効果
• 補償されたGe, Siの負性抵抗の光照射効果 (II) : 半導体
• 4a-L-13 Ge,SiのCryosarの光照射の効果
• 10p-A-12 極低温に於けるゲルマニウムの負性抵抗
• 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク