11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
4a-WB-2 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による吸収分光
-
4a-WB-1 SiCl_4グラファイト層間化合物結晶のSOR軟X線による結晶解析
-
27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
-
30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
-
30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
-
2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
-
5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
-
1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
-
13a-E-9 微結晶Siの軟X線反射スペクトル
-
2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
-
4a-E-10 Si-Al 界面の結合状態 III
-
4a-E-9 Si-Al 界面の結合状態 II
-
30p-D-2 IV-VI族半導体における立方晶-長方晶相転移と化学結合
-
9p-R-7 PbSnTeのバンド反転組成近傍における相転移
-
9p-R-6 溶液成長法によるPb_Sn_xTe単結晶と相転移
-
4a-G-11 PbI_2薄膜のラマン散乱
-
5p-B-15 Pb_Sn_xTeのラマン散乱
-
5p-B-14 Pb_Sn_xTeの相転移とホール係数の異常
-
微小バンド・ギャップ半導体の相転移 : 格子不安定性と電子-格子相互作用
-
5a-U-9 IV-VI族半導体の格子不安定性(II) : Pb_Sn_xTeの相転移
-
5a-U-8 IV-VI族半導体の格子不安定性(I) : SnTeの相転移のキャリヤー濃度依存性
-
5a-U-7 SnTeの相転移点近傍における熱容量
-
10p-F-2 SnTeの相転移と電流磁気効果
-
4a-R-10 SnTeにおけるソフトフォノンとフリーキャリヤーの相互作用
-
12a-W-10 Pb_Sn_xTeの誘電率
-
12p-Q-1 表面酸化法による Pb_Sn_xTe の伝導型の変換
-
3p-KL-3 Pb_Sn_xTeの電子易動度
-
3p-KL-2 n-Type Pb_Sn_xTeのShubnikou-de Haas効果
-
23p-G-16 磁気プラズマ波の方法によるPb_Sn_xTeの静的誘電率の決定
-
n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
-
フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
-
2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
-
6a-B-7 n型反転層伝導電子の低温における局在化(II)
-
1p-PS-22 アモルファスシリコンのラマン散乱強度の光照射効果
-
12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
-
27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
-
7a-U-6 n型反転層伝導電子の低温における局在化
-
3p-KL-4 SnTe;Pb_Sn_xTeの相転移
-
3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
-
22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
-
28a-F-13 多重量子細線の電気伝導特性
-
4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー
-
31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
-
30a-D-12 Si中の電子正孔液滴の発生に及ぼす不純物、格子欠陥の効果
-
5p-LT-5 中間濃度領域におけるSi:Pのフォトルミネセンス
-
5p-LT-4 スワール欠陥を有するSi中の電子・正孔液滴
-
11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
-
6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
-
5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
-
3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
-
1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
-
3p-H-3 n-InSbにおける強磁場中のhot electronのマイクロ波photoconductivity
-
ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
-
4a-M-1 Magnetic Quantum LimitにおけるSi-MOS表面量子化準位
-
4a-H-5 n-Si反転層内のMagnetoconductivity
-
4a-NL-7 XPSおよび赤外吸収によるa-Si:F中のSi-Fボンドの検討(II)
-
2a-W-25 XPSによるアモルファス・シリコン中の不活性元素の"結合状態"の検討
-
29a-D-6 XPSによるa-Si_xC_: Hの結合状態の検討 (II)
-
4p-B-15 a-Si_xC : H の構造
-
31p GE-6 XPSによるa-Si_xC_:Hの結合状態の検討
-
反応性スパッタリング法によるa-SixC1-x:H"混非晶"の作成といくつかの性質
-
6-6 多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた10×10画素液晶ディスプレイ
-
n-InSbに於ける強磁場中のHot ElectronのMicrowave Photoconductivity (II) : 半導体 (プラズマ)
-
InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
-
31a-F-3 化学結合状態と構造
-
1p-B-15 赤外吸収スペクトルによるa-Siの結合状態の検討
-
31p GE-5 a-Si_xC_:H系合金の性質
-
13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
-
7p-B-2 SiMOS反転層中の伝導電子の局在状態:閾値電圧附近の電気伝導度異常の一つの説明
-
4p-Q-14 薄膜のラマン散乱測定
-
4a-H-4 Si MOS反転層内二次元不純物状態
-
9a-B-15 Si n型反転層の移動度と磁気抵抗
-
9a-B-14 InSb表面反転層の磁気抵抗振動現象と表曲量子効果
-
4a-TC-1 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity(II)
-
2p-TC-1 n型Sbのホットエレクトロンによるマイクロ波photo-conductivity(III)
-
18p-A-4 InSb表面反転層の磁気抵抗と赤外Photoconductivity
-
InSb表面反転層の磁気抵抗 : 半導体
-
3p-H-4 n型InSbの量子極限におけるホットエレクトロンによる非線形特性
-
6a-G-6 ホットエレクトロンのQuantum Transport
-
n-InSbの量子限界に於ける電流発振 : 半導体(不安定性)
-
ナノテクノロジー : 私達の生活とナノエレクトロニクス : CDプレーヤーや携帯電話にナノテクノロジーが生きている
-
固体物理の応用 単一電子素子
-
構造--中距離秩序 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
-
まえがき ( 「光ディスクの物理」)
-
XPSによるa-SixC1-x : H合金の組成分析
-
3p-H-2 InSbのホットエレクトロンの表面量子輸送現象
-
n-InSbの量子極限における非線型特性(I) : 半導体 : 不安定性
-
補償されたGermaniumの負性抵抗の磁場による影響 : 半導体
-
G. Dearnaley, J. H. Freeman, R. S. Nelson and J. Stephen : Ion Implantation, North-Holland, Amsterdam and London, 1973, xv+802ページ, 23×16cm, 29,250円 (Series, Defects in Crystalline Solids, Vol. 8).
-
B. L. Crowder編 : Ion Implantation in Semi-conductors and Other Materials, Plenum Press, New York and London, 1973, xii+657ページ, 26×17.5cm, 12,950円 (The IBM Research Symposia Series).
-
Si表面反転層内の電気伝導現象
-
2a-H-5 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性II
-
14a-K-1 n-InSb-Oxide-Metal系のトンネル特性
-
8p-F-10 補償されたGeのマイクロ波電導度
-
Compensated GeのCarrier Lifetime : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
-
P-Geのimpurity breakdown ; impurity Conductionのuniaxial stressによる変化 : 半導体(Si, Ge)
-
5a-A-6 補償されたゲルマニウムの磁場発振及び圧力効果
-
補償されたGe, Siの負性抵抗の光照射効果 (II) : 半導体
-
4a-L-13 Ge,SiのCryosarの光照射の効果
-
10p-A-12 極低温に於けるゲルマニウムの負性抵抗
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク