30a-D-12 Si中の電子正孔液滴の発生に及ぼす不純物、格子欠陥の効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-03-12
著者
関連論文
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
- 4a-E-10 Si-Al 界面の結合状態 III
- 4a-E-9 Si-Al 界面の結合状態 II
- n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
- フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
- 2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- 28a-F-13 多重量子細線の電気伝導特性
- 4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー
- 31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
- 電子・正孔液滴を利用したSiの評価
- 30a-D-12 Si中の電子正孔液滴の発生に及ぼす不純物、格子欠陥の効果
- 5p-LT-5 中間濃度領域におけるSi:Pのフォトルミネセンス
- 5p-LT-4 スワール欠陥を有するSi中の電子・正孔液滴
- "フォトルミネッセンス法によるシリコン結晶の評価"〔応用物理47(4)〔′78.4〕掲載〕へのコメント〔付 コメントに対する著者の見解〕
- 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
- 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
- 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
- 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
- 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
- ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
- 6-6 多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた10×10画素液晶ディスプレイ
- InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
- 1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
- 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
- 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))