1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1983-09-20
著者
関連論文
- 5)新型撮像管サチコン(テレビジョン電子装置研究会(第62回))
- 4)新型撮像管"サチコン"の特性について(第45回 テレビジョン電子装置研究会)
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
- 4a-E-10 Si-Al 界面の結合状態 III
- 4a-E-9 Si-Al 界面の結合状態 II
- 3a-G-1 CdSのShallow Trap
- 電流飽和領域における空間電荷制限電流 : 半導体 : ダイオード,不安定
- Phononのdamping : 半導体 : ダイオード,不安定
- CdSにおけるphononのdecay : 半導体(ダイオード)
- n型InSbの負の磁気抵抗効果 : 半導体 : 不純物伝導
- フォトルミネセンスによるシリコン中の不純物対の研究
- 2a GE-2 シリコン中の不純物対に束縛された励起子の発光
- 19)サチコン光導電膜を用いた一次元センサ(テレビジョン電子装置研究会(第70回)画像表示研究会(第27回))
- 3-11 非晶質カルコゲナイド系撮像管サチコンの動作解析
- 非晶質Se-As-Te薄膜ヘテロ接合
- 16p-A-3 非晶質半導体の接合特性
- Se系化合物ヘテロ接合の光電特性 II : イオン結晶・光物性
- Se系化合物ヘテロ接合の光電特性 I : イオン結晶・光物性
- 12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 超伝導大型加速器 (SSC) 計画 : 「巨大科学」は「科学」か
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- 28a-F-13 多重量子細線の電気伝導特性
- 4a-RJ-12 清浄シリコン表面へのNiSi_2膜のヘテロエピタキシー
- 31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
- 30a-D-12 Si中の電子正孔液滴の発生に及ぼす不純物、格子欠陥の効果
- 5p-LT-5 中間濃度領域におけるSi:Pのフォトルミネセンス
- 5p-LT-4 スワール欠陥を有するSi中の電子・正孔液滴
- 11p-Y-14 イオン打込みで作ったGaP中のNN線
- 6a-KL-15 イオン打込み法によるアモルファスGaPの性質
- 5p-G-4 イオン折込みしたCdSのルミネセンス
- 3a-N-6 イオン打込みで形成されたCdSのN_2^中心のEPR
- 1a-TC-3 イオン打込みによって形成されたCdSの不純物準位
- 3)カルコゲナイド非晶質膜を用いた固体撮像素子(テレビジョン電子装置研究会(第88回))
- カルコゲナイド非晶質薄膜を用いた固体撮像素子
- 3)非晶質薄膜を用いた密着読取り一次元センサ(テレビジョン電子装置研究会(第83回))
- 非晶質薄膜を用いた密着読取り一次光センサ
- ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
- 5-10 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレイの駆動条件
- POLY-Si TFTを用いた液晶スィッチマトリックスアレイ
- 6-6 多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いた10×10画素液晶ディスプレイ
- InSbの抵抗異常とスピン散乱 : 半導体(輸送)
- 1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
- 3a-F-14 量子井戸のフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- 原子間オージェ電子分光による固体表面および界面の研究
- 1)固体撮像素子用カラーフィルタ(テレビジョン電子装置研究会(第83回))
- 固体撮像素子用カラーフィルタ
- 1)アモルファス半導体の入出力デバイスへの応用(〔情報入力研究会情報ディスプイ研究会〕合同)
- 基礎研究に「目的」は必要か--サイエンスへの貢献と文化のこころ (90年代の科学技術政策--基礎研究と国際化)
- アモルファス半導体の微量不純物効果
- S-3 アモルファス撮像デバイスの将来展望
- 4p-H-10 コメント : 非晶質半導体接合について
- CdSの電気分解に伴うルミネセンス : 光物性
- 2A5 基礎研究マネジメントの諸問題
- 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))