3a-G-1 CdSのShallow Trap
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1967-04-02
著者
関連論文
- 28a-PS-49 偏極2次電子を利用したAu/Fe(110)量子井戸内電子の偏極度振動の直接検出
- 5)新型撮像管サチコン(テレビジョン電子装置研究会(第62回))
- 4)新型撮像管"サチコン"の特性について(第45回 テレビジョン電子装置研究会)
- 非弾性散乱をする波束のダイナミックスと decoherence(量子情報理論と開放系)
- 超薄膜Feの構造と磁性
- 酸化物超伝導体の熱ゆらぎの効果:c-軸方向のカップリングについて
- Fe(n)/Au(4)系におけるFe, Au層のスピン分極の計算
- 磁性/非磁性金属bilayerの電子状態 II
- Fe/Au積層膜の電子状態と磁気構造
- 31a-PS-35 ボルテックスダイナミックスとdisorderの次元性
- 29a-PS-45 磁性/非磁性金属bilayerの電子状態
- 29a-PS-18 Fe/Au(n)系におけるAu層のスピン分極の計算
- 28a-YQ-10 Au/Fe(110)系にみられる電子分極
- 12p-PSB-28 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態 : 磁場効果
- 12p-PSB-17 高温超伝導とLuttinger定理
- 14a-PS-5 金属人工格子における電気抵抗の温度依存性
- 13p-DC-8 水素化シリコングラスの電子状態と光学特性(III)
- 1p-PS-12 2次元ボソン系の局在と超伝導:量子モンテカルロ法による研究
- 1p-PS-11 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態:異方性効果
- 30p-PSA-3 d-pモデル高温超伝導体の光学特性の理論(II)
- 30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
- 26p-PSB-57 d-pモデル高温超伝導体の光特性の理論
- 3p-F-14 2次元電子Landau準位のbroadening : Self-consistent screenig
- 3a-A-14 2次元電子Landau準位のbroadening : Self-consistent screening
- 量子マイクロエレクトロニクス
- 1p-KH-9 2次元電子LANDAU準位のbroadening-Screened Coulomb力の自己無とう着な解-
- 13p-E-3 2次元電子LANDAU準位のbroadening
- 30a-M-1 2次元電子LANDAU単位のbroadening
- 2p-A-13 2次元電子LANDAU凖位のbroadening : 短距離力の場合
- 1a-Pα-20 2次元電子LANDAU準位のBROADENING
- 30a-Q-1 超伝導状態での散乱の理論
- 1a-F-7 非線型非平衡応答理論-Esaki効果への応用
- 3a-TC-3 半導体・半金属の横磁気抵抗
- 非線型伝導の理論─ESAKI効果 : 半導体 (プラズマ)
- 非平衡GREEN関数を用いたESAKI効果の理論II : 半導体(界面, 半金属)
- 3p-H-5 非平衡Green関数によるEsaki効果の理論
- 3a-G-1 CdSのShallow Trap
- 2a-C-8 ZnTeの熱発光と励起子
- 電流飽和領域における空間電荷制限電流 : 半導体 : ダイオード,不安定
- Phononのdamping : 半導体 : ダイオード,不安定
- 縞状磁区の理論 : 磁性 : 薄膜
- CdSにおけるphononのdecay : 半導体(ダイオード)
- 26p-PSB-52 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態III : 異方性効果
- 28p-PS-75 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態II : 3次元効果
- 25a-PS-64 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態II : 磁場効果
- 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態 : ベキ乗則とイオン照射効果
- 19)サチコン光導電膜を用いた一次元センサ(テレビジョン電子装置研究会(第70回)画像表示研究会(第27回))
- 3-11 非晶質カルコゲナイド系撮像管サチコンの動作解析
- 非晶質Se-As-Te薄膜ヘテロ接合
- 16p-A-3 非晶質半導体の接合特性
- Se系化合物ヘテロ接合の光電特性 II : イオン結晶・光物性
- Se系化合物ヘテロ接合の光電特性 I : イオン結晶・光物性
- 12p-D-14 アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 27a-SB-6 混相系アモルファスシリコン膜の振動スペクトル
- 25p-ZE-12 水素化シリコンクラスタの電子状態と光学特性
- 28p-PS-76 強結合近似によるYBaCuOの電子状態の計算
- 28p-APS-35 バンド計算によるYBa_2Cu_3O_x(x=6,7)の電子状態
- 28a-D-4 電子交換相互作用の非局所性を考慮した窒化ホウ素の電子状態の解析
- 擬ポテンシャル法バンド計算によるYBa_2Cu_3O_7の電子状態
- 31P-PS-15 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布 (II)
- 30a-Y-4 結晶窒化ホウ素の電子構造の計算
- 3p-ZB-7 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- 3)カルコゲナイド非晶質膜を用いた固体撮像素子(テレビジョン電子装置研究会(第88回))
- 3)非晶質薄膜を用いた密着読取り一次元センサ(テレビジョン電子装置研究会(第83回))
- ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜トランジスタ
- 30p-QB-13 観測にともなう波束の収縮の数値シミュレーション
- 1)poly-Si TFTを用いた液晶スイッチマトリクスアレイ(画像表示研究会(第75回))
- 1)固体撮像素子用カラーフィルタ(テレビジョン電子装置研究会(第83回))
- 1)アモルファス半導体の入出力デバイスへの応用(〔情報入力研究会情報ディスプイ研究会〕合同)
- 基礎研究に「目的」は必要か--サイエンスへの貢献と文化のこころ (90年代の科学技術政策--基礎研究と国際化)
- アモルファス半導体の微量不純物効果
- S-3 アモルファス撮像デバイスの将来展望
- 4p-H-10 コメント : 非晶質半導体接合について
- CdSの電気分解に伴うルミネセンス : 光物性
- 28a-A-4 高温超伝導のメカニズム : dp^2-バンドでのt-モデル
- 6a-D-4 縞状磁区構造の理論
- 2a-D-1 量子井戸からの発光と障壁中の有効質量
- 3a-C-12 ドーピング超格子の電気伝導特性1
- 27a-N-2 ドーピング超格子の光吸収係数の計算
- 28a-A-18 不純物超格子における温度に依存した自己無撞着なエネルギー準位の計算
- マグネタイトの変態温度以下における磁気異方性(磁性(酸化物))
- 25a-PS-63 量子磁束系のダイナミックシミュレーション
- 31p-PS-24 量子磁束系のシミュレーション
- 3p-ZB-9 酸化物超伝導体のボルテックス・反ボルテックス解離機構 : 磁場効果
- 帯理論によるニッケルの磁気異方性エネルギ(磁性(理論))
- 強磁性金属の磁歪 : 磁性 (磁性理論)
- 8p-M-9 強磁性金属の磁歪
- 30p-Z-7 MQWの仮想状態とtrapping
- 6a-S-12 波束のダイナミックス-ブラッグ反射-
- 3p-ZE-2 超伝導細線におけるマクロな量子トンネル効果(2)
- 27a-JE-4 波束の収縮を起こす観測過程と散乱モデル(統計力学・物性基礎論)
- 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 31a-PS-92 遷移金属酸化物の構造安定性の計算(31p PS 低温(酸化物超伝導))