30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-03-16
著者
関連論文
- 28a-PS-49 偏極2次電子を利用したAu/Fe(110)量子井戸内電子の偏極度振動の直接検出
- 非弾性散乱をする波束のダイナミックスと decoherence(量子情報理論と開放系)
- 超薄膜Feの構造と磁性
- 酸化物超伝導体の熱ゆらぎの効果:c-軸方向のカップリングについて
- Fe(n)/Au(4)系におけるFe, Au層のスピン分極の計算
- 磁性/非磁性金属bilayerの電子状態 II
- Fe/Au積層膜の電子状態と磁気構造
- 31a-PS-35 ボルテックスダイナミックスとdisorderの次元性
- 29a-PS-45 磁性/非磁性金属bilayerの電子状態
- 29a-PS-18 Fe/Au(n)系におけるAu層のスピン分極の計算
- 28a-YQ-10 Au/Fe(110)系にみられる電子分極
- 12p-PSB-28 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態 : 磁場効果
- 12p-PSB-17 高温超伝導とLuttinger定理
- 14a-PS-5 金属人工格子における電気抵抗の温度依存性
- 13p-DC-8 水素化シリコングラスの電子状態と光学特性(III)
- 1p-PS-12 2次元ボソン系の局在と超伝導:量子モンテカルロ法による研究
- 1p-PS-11 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態:異方性効果
- 30p-PSA-3 d-pモデル高温超伝導体の光学特性の理論(II)
- 30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
- 26p-PSB-57 d-pモデル高温超伝導体の光特性の理論
- 3p-F-14 2次元電子Landau準位のbroadening : Self-consistent screenig
- 3a-A-14 2次元電子Landau準位のbroadening : Self-consistent screening
- 量子マイクロエレクトロニクス
- 1p-KH-9 2次元電子LANDAU準位のbroadening-Screened Coulomb力の自己無とう着な解-
- 13p-E-3 2次元電子LANDAU準位のbroadening
- 30a-M-1 2次元電子LANDAU単位のbroadening
- 2p-A-13 2次元電子LANDAU凖位のbroadening : 短距離力の場合
- 1a-Pα-20 2次元電子LANDAU準位のBROADENING
- 30a-Q-1 超伝導状態での散乱の理論
- 1a-F-7 非線型非平衡応答理論-Esaki効果への応用
- 3a-TC-3 半導体・半金属の横磁気抵抗
- 非線型伝導の理論─ESAKI効果 : 半導体 (プラズマ)
- 非平衡GREEN関数を用いたESAKI効果の理論II : 半導体(界面, 半金属)
- 3p-H-5 非平衡Green関数によるEsaki効果の理論
- 3a-G-1 CdSのShallow Trap
- 2a-C-8 ZnTeの熱発光と励起子
- 電流飽和領域における空間電荷制限電流 : 半導体 : ダイオード,不安定
- Phononのdamping : 半導体 : ダイオード,不安定
- 縞状磁区の理論 : 磁性 : 薄膜
- CdSにおけるphononのdecay : 半導体(ダイオード)
- 26p-PSB-52 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態III : 異方性効果
- 28p-PS-75 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態II : 3次元効果
- 25a-PS-64 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態II : 磁場効果
- 酸化物超伝導体の非線型抵抗状態 : ベキ乗則とイオン照射効果
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 25p-ZE-12 水素化シリコンクラスタの電子状態と光学特性
- 28p-PS-76 強結合近似によるYBaCuOの電子状態の計算
- 28p-APS-35 バンド計算によるYBa_2Cu_3O_x(x=6,7)の電子状態
- 28a-D-4 電子交換相互作用の非局所性を考慮した窒化ホウ素の電子状態の解析
- 擬ポテンシャル法バンド計算によるYBa_2Cu_3O_7の電子状態
- 31P-PS-15 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布 (II)
- 31a-TA-11 Si(100)表面の欠陥 : 間隙型ダイマ
- 30a-Y-4 結晶窒化ホウ素の電子構造の計算
- 3a-T-3 Si(100)面の表面再構成 III : 対称ダイマと非対称ダイマ
- 3a-T-2 Si(100)面の表面再構成 II : 新しい表面欠陥構造
- 3a-T-1 Si(100)面の表面再構成 I : 非経験的分子動力学
- 3p-ZB-7 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布
- 酸化物超電導体の電子状態と構造安定性 (超電導と応用技術)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 3p-F-16 極微細MOSFETのしきい電圧付近の電気伝導異常
- 表面を探る : 4. 計算物理 : 表面構造を予測する分子動力学 ( 表面)
- 25p-PS-45 Si(001)表面の欠陥 : 2重欠損型ダイマ
- 24a-PS-29 非経験的分子動力学によるSi(100)表面再構成 : 吸着過程
- 3p-C-6 第一原理分子動力学-Si表面-
- 5p-E-9 非経験的分子動力学によるSi(111)2x1表面再構成計算II
- 5a-PS-24 非経験的分子動力学によるSi(111)2x1表面再構成計算I
- 3p-C-6 第一原理分子動力学 : Si表面
- 31a-TA-12 Si(100)表面の欠陥 II : 高非対称ダイマ
- Si(001)表面の分子動力学シミュレ-ション
- 30p-QB-13 観測にともなう波束の収縮の数値シミュレーション
- 不純物をドープした非晶質Seにおけるキャリア輸送特性
- 28a-ZH-5 平面波基底でL-S項を展開したノルム保存擬ポテンシャル法バンド計算 : GaAsにおける、歪効果の解析
- メソスコ-ピック系の物理と観測問題 (特集 観測問題とその周辺)
- 28a-A-4 高温超伝導のメカニズム : dp^2-バンドでのt-モデル
- 第一原理分子動力学によるシリコン表面の構造予測(精密工学における電子論)
- コンピュータが創りだす非晶質半導体
- 2p-F-12 アモルファスSiの構造III
- 6a-D-4 縞状磁区構造の理論
- 2a-D-1 量子井戸からの発光と障壁中の有効質量
- 3a-C-12 ドーピング超格子の電気伝導特性1
- 27a-N-2 ドーピング超格子の光吸収係数の計算
- 28a-A-18 不純物超格子における温度に依存した自己無撞着なエネルギー準位の計算
- マグネタイトの変態温度以下における磁気異方性(磁性(酸化物))
- 25a-PS-63 量子磁束系のダイナミックシミュレーション
- 31p-PS-24 量子磁束系のシミュレーション
- 3p-ZB-9 酸化物超伝導体のボルテックス・反ボルテックス解離機構 : 磁場効果
- 帯理論によるニッケルの磁気異方性エネルギ(磁性(理論))
- 強磁性金属の磁歪 : 磁性 (磁性理論)
- 8p-M-9 強磁性金属の磁歪
- 30p-Z-7 MQWの仮想状態とtrapping
- 6a-S-12 波束のダイナミックス-ブラッグ反射-
- 3p-ZE-2 超伝導細線におけるマクロな量子トンネル効果(2)
- 27a-JE-4 波束の収縮を起こす観測過程と散乱モデル(統計力学・物性基礎論)
- 29a-FC-8 量子井戸発光の励起光強度依存性にみられる井戸幅に依る異常な変化(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 1a-FC-1 アモルファスSiの構造IV(1a FC 半導体(アモルファス))
- 31a-PS-92 遷移金属酸化物の構造安定性の計算(31p PS 低温(酸化物超伝導))