平尾 雅彦 | 日立基礎研
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概要
関連著者
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平尾 雅彦
日立基礎研
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宇田 毅
日立基礎研
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村山 良昌
日立基礎研
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宇田 毅
(株)日立製作所基礎研究所
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村山 良昌
日立基礎研究所
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井原 茂男
日立中研
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何 希倫
日立製作所 基礎研究所
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井原 茂男
東京大学先端科学技術研究センター
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何 希倫
新情報処理開発機構
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井原 茂男
(株)日立製作所ライフサイエンス推進事業部
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何 希倫
日立中研
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佐久間 昭正
日立金属(株)磁性材料研究所
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佐久間 昭正
日立金属磁研
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竹村 佳昭
日立中研
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菊地 慶子
日立金属生産システム研究所
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菊地 慶子
日立金属磁研
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石田 慶子
日立金属磁研
著作論文
- 13p-DC-8 水素化シリコングラスの電子状態と光学特性(III)
- 30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
- 25p-ZE-12 水素化シリコンクラスタの電子状態と光学特性
- 28p-PS-76 強結合近似によるYBaCuOの電子状態の計算
- 28p-APS-35 バンド計算によるYBa_2Cu_3O_x(x=6,7)の電子状態
- 28a-D-4 電子交換相互作用の非局所性を考慮した窒化ホウ素の電子状態の解析
- 擬ポテンシャル法バンド計算によるYBa_2Cu_3O_7の電子状態
- 31P-PS-15 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布 (II)
- 31a-TA-11 Si(100)表面の欠陥 : 間隙型ダイマ
- 30a-Y-4 結晶窒化ホウ素の電子構造の計算
- 3a-T-3 Si(100)面の表面再構成 III : 対称ダイマと非対称ダイマ
- 3a-T-2 Si(100)面の表面再構成 II : 新しい表面欠陥構造
- 3a-T-1 Si(100)面の表面再構成 I : 非経験的分子動力学
- 3p-ZB-7 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布
- 酸化物超電導体の電子状態と構造安定性 (超電導と応用技術)
- 31a-PS-92 遷移金属酸化物の構造安定性の計算(31p PS 低温(酸化物超伝導))