宇田 毅 | (株)日立製作所基礎研究所
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概要
関連著者
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宇田 毅
(株)日立製作所基礎研究所
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村山 良昌
日立基礎研
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平尾 雅彦
日立基礎研
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宇田 毅
日立基礎研
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村山 良昌
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(株)日立デバイスエンジニアリング
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石田 慶子
日立金属磁研
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高崎 幸男
(株)日立製作所中央研究所
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平井 忠明
(株)日立製作所中央研究所
著作論文
- 13p-DC-8 水素化シリコングラスの電子状態と光学特性(III)
- 30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
- 25p-ZE-12 水素化シリコンクラスタの電子状態と光学特性
- 28p-PS-76 強結合近似によるYBaCuOの電子状態の計算
- 28p-APS-35 バンド計算によるYBa_2Cu_3O_x(x=6,7)の電子状態
- 28a-D-4 電子交換相互作用の非局所性を考慮した窒化ホウ素の電子状態の解析
- 擬ポテンシャル法バンド計算によるYBa_2Cu_3O_7の電子状態
- 31P-PS-15 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布 (II)
- 30a-Y-4 結晶窒化ホウ素の電子構造の計算
- 3p-ZB-7 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布
- 不純物をドープした非晶質Seにおけるキャリア輸送特性
- 第一原理分子動力学によるシリコン表面の構造予測(精密工学における電子論)