29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
山本 武範
東大生研
-
大野 隆央
東大生研
-
籾田 浩義
物質・材料研究機構
-
宇田 毅
日立基礎研
-
濱田 智之
東大生研
-
大野 隆央
物材機構:東大生研
-
籾田 浩義
物質・材料研究機構計算科学センター
-
籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
-
宇田 毅
アドバンスソフト
-
籾田 浩義
東大生研
-
山本 武範
東大生研:東邦大理
-
山本 武範
東邦大理:東大生研
-
宇田 毅
(株)ASMS
関連論文
- 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22aXK-11 クマリン系色素吸着チタニア表面の構造と電子状態(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 結晶転位の第一原理電子論
- 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 13p-DC-8 水素化シリコングラスの電子状態と光学特性(III)
- 30p-Q-14 水素化シリコン・クラスタの電子状態と光学特性 (II)
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 反強磁性酸化物表面の電子状態と磁性 : 第一原理計算
- 29aWD-1 NiO(001) 表面における交換力の第一原理計算
- 29aWD-1 NiO(001) 表面における交換力の第一原理計算
- 19pPSB-25 NiO(001)表面の磁性と電子状態
- 24aE-2 Cr/SnおよびFe/Cr/Sn/Cr人工格子の第一原理計算
- 26pR-9 Cr/SnおよびFe/Cr/Sn/Cr人工格子の磁性と電子状態
- 第一原理計算による水素脆性現象の解析
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 25aYP-4 第一原理計算から見た鉄中のクラック形成に対する空孔-水素複合体の効果
- 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25p-ZE-12 水素化シリコンクラスタの電子状態と光学特性
- 28p-PS-76 強結合近似によるYBaCuOの電子状態の計算
- 28p-APS-35 バンド計算によるYBa_2Cu_3O_x(x=6,7)の電子状態
- 28a-D-4 電子交換相互作用の非局所性を考慮した窒化ホウ素の電子状態の解析
- 擬ポテンシャル法バンド計算によるYBa_2Cu_3O_7の電子状態
- 31P-PS-15 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布 (II)
- 31a-TA-11 Si(100)表面の欠陥 : 間隙型ダイマ
- 30a-Y-4 結晶窒化ホウ素の電子構造の計算
- 3a-T-3 Si(100)面の表面再構成 III : 対称ダイマと非対称ダイマ
- 3a-T-2 Si(100)面の表面再構成 II : 新しい表面欠陥構造
- 3a-T-1 Si(100)面の表面再構成 I : 非経験的分子動力学
- 3p-ZB-7 YBa_2Cu_3O_7のフェルミ面近傍の電荷分布
- 酸化物超電導体の電子状態と構造安定性 (超電導と応用技術)
- 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
- ナノシミュレーションで探る新材料設計 (特集1/戦略的基盤ソフトウェアの開発)
- 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 表面を探る : 4. 計算物理 : 表面構造を予測する分子動力学 ( 表面)
- 25p-PS-45 Si(001)表面の欠陥 : 2重欠損型ダイマ
- 24a-PS-29 非経験的分子動力学によるSi(100)表面再構成 : 吸着過程
- 3p-C-6 第一原理分子動力学-Si表面-
- 5p-E-9 非経験的分子動力学によるSi(111)2x1表面再構成計算II
- 5a-PS-24 非経験的分子動力学によるSi(111)2x1表面再構成計算I
- 3p-C-6 第一原理分子動力学 : Si表面
- 31a-TA-12 Si(100)表面の欠陥 II : 高非対称ダイマ
- Si(001)表面の分子動力学シミュレ-ション
- 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
- 24aYL-8 第一原理計算からみたbcc Fe中の原子空孔に対する水素効果
- 24aYL-7 bcc Fe中の格子間水素の量子状態
- 28a-ZA-5 第一原理計算からみたbcc金属中の水素の存在状態
- 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28a-ZH-5 平面波基底でL-S項を展開したノルム保存擬ポテンシャル法バンド計算 : GaAsにおける、歪効果の解析
- コンピュータが創りだす非晶質半導体
- 2p-F-12 アモルファスSiの構造III
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 3a-C-12 ドーピング超格子の電気伝導特性1
- 27a-N-2 ドーピング超格子の光吸収係数の計算
- 28a-A-18 不純物超格子における温度に依存した自己無撞着なエネルギー準位の計算
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25aCC-4 時間依存密度汎関数計算によるクマリン色素/TiO_2界面の可視光吸収スペクトル(25aCC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSA-10 Sb_2Teの電子構造とトポロジカル不変量の第一原理計算(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXJ-14 ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aPS-1 Co_2MnSnの内部磁場と点欠陥に関する第一原理計算(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 6pPSB-26 酸化物表面における構造緩和と磁性(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSA-1 二次電池正極材料 Na_xC_6O_6の電子状態計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 1a-FC-1 アモルファスSiの構造IV(1a FC 半導体(アモルファス))
- 31a-PS-92 遷移金属酸化物の構造安定性の計算(31p PS 低温(酸化物超伝導))