20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-01

著者

• 居波 哲

  金沢大自然

• 斎藤 峯雄

  金沢大自然

• 山崎 隆浩

  東大生研

• 山本 武範

  東大生研

• 大野 隆央

  東大生研

• 山崎 隆浩

  東大生研:富士通研

• 居波 哲

  金沢大理工

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 大野 隆央

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 大野 隆央

  東京大学生産技術研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 大野 隆央

  物材機構:jst-crest

• 斎藤 峯雄

  金沢大理工:東大生研

関連論文

• 21aHT-3 グラフェンにおけるアドアトム関連欠陥の第1原理計算(21aHT 格子欠陥・ナノ構造(炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aGS-14 非磁性基板上グラフェンナノリボンの磁性と電子構造(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pGQ-4 Biナノリボンの第一原理計算(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYE-7 キャリヤドーピングによるアームチェアグラフェンナノリボンの磁性発現(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
• 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25aYK-1 グラフェンアドアトムとその二量体の構造と拡散(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 29pRB-15 グラフェンアドアトムとダイマーの動的過程(29pRB 領域10,領域9合同(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYF-3 結晶における陽電子寿命の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aPS-123 固体中陽電子寿命の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pPSB-39 Bi原子スケール薄膜の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-13 基板上グラフェンナノリボンの電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aRF-4 Bi{012}超薄膜における双安定性と相対論的効果(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aPS-2 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXA-12 Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-5 ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-4 Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-24 Bi(001)薄膜の原子構造と安定性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-101 グラフェンにおけるアドアトム・空孔対の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-103 カーボンナノチューブにおけるアドアトム・空孔対の安定構造(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRA-5 基板上グラフェンナノリボンにおける磁性(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 22pPSA-40 グラフェンアドアトムの動的過程と集合(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• MgO表面上のAun微粒子に対する第一原理計算 (特集:金ナノ構造)
• 27pPSA-26 Si(111)表面上Bi超薄膜の魔法厚と電子状態(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 22aYD-11 Si(111) 表面上 Bi 超薄膜の魔法厚
• 31pZE-2 Si(111) 表面上 Bi 薄膜の原子構造と電子構造
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
• 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
• 22pPSB-31 グラフェンにおけるアドアトムおよびダイマーの第一原理シミュレーション(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aTD-2 グラフェン固有欠陥の拡散と集合(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-7 グラフェン固有欠陥の第一原理計算(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノシミュレーションで探る新材料設計 (特集1/戦略的基盤ソフトウェアの開発)
• 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 28pXD-6 グラフェン多原子空孔における5員環の生成(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aPS-81 グラフェン多原子空孔の安定性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 27pRE-2 半導体ナノチューブ構造の励起子過程における誘電率効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
• 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
• 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 24aPS-131 DNAの赤外吸収スペクトルに対する第一原理計算(領域12ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 20aPS-121 DNAの赤外吸収スペクトルにおける水の影響(20aPS 領域12ポスターセッション,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
• 25pPSB-49 DNAの赤外吸収スペクトルにおける水の効果(ポスターセッション,領域12,ソフトマター物理,化学物理,生物物理)
• 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 領域10,領域4,領域8「高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決」(第64回年次大会シンポジウムの報告)
• 28pRF-1 はじめに(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pRF-1 はじめに(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pTJ-5 グラフェンシート上アドアトム・空孔対に対する第一原理計算(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(炭素・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pPSB-27 V族ナノ薄膜の原子構造と電子状態(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pPSA-23 Biエッジ状態の第一原理計算(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aHA-2 グラフェン・ナノチューブにおけるアドアトム関連欠陥の第一原理計算(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pHA-5 Biナノリボンの電子状態に及ぼす基板の影響(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pPSB-30 First-principles study of healing of adatom-vacancy pair in carbon nanotubes
• 24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-63 Electronic Structures of Adatom-vacancy Pair Defects in Nano-carbon Materials
• 24pCK-4 第一原理計算によるBi薄膜のRashba効果の解析(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pFE-2 反転対称性の破れたBi多層薄膜の第一原理計算(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXJ-14 ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pPSA-10 Bi多層膜におけるフェルミ面とスピン構造の第一原理計算 : 膜厚依存性(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-9 First-principles calculations of positron lifetimes for ferromagnetic materials

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク