12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 山本 武範

  東大生研

• 宇田 毅

  アドバンスソフト株式会社第2部

• 大野 隆央

  物材機構(NIMS)計算材料セ

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構

• 濱田 智之

  東大生研

• 大野 隆央

  物材機構

• 大野 隆央

  物材機構:東大生研

• 籾田 浩義

  物質・材料研究機構計算科学センター

• 籾田 浩義

  東京大学生産技術研究所

• 宇田 毅

  アドバンスソフト

• 籾田 浩義

  東大生研

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 宇田 毅

  (株)ASMS

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