Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_<b0>欠陥生成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2005-05-10
著者
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
-
宇田 毅
アドバンスソフト株式会社第2部
-
山崎 隆浩
富士通研究所
-
加藤 弘一
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
宇田 毅
アドバンスソフト
-
加藤 弘一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ
-
山崎 隆浩
富士通研究所基盤技術研究所
-
宇田 毅
(株)ASMS
関連論文
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 第一原理シミュレータAdvance/PHASEの応用(製品開発とシミュレーション)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応
- 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
- 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 24aPS-6 Phase Transitions and Electronic Structures on Si(100)
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
- 24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程
- 30p-S-2 水素終端Si(100)2x1表面のダングリングボンドでの酸化構造(実験)
- 30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
- Si表面の酸化素過程の理論
- シリコン表面酸化の様子をシミュレーションする
- 6a-B-10 Si(100)表面の無障壁酸化
- Si(100)面の酸化反応における等温及び断熱遷移過程
- 3a-K-9 スピン分極GGAによるSi(100)面の初期酸化過程の解析II
- 30a-PS-8 スピン分極GGAによるSi(001)面の初期酸化過程の解析
- 電流方向を考慮した歪みSiデバイスのスケーリングに関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-25 Si系の第一原理/強結合ハイブリッド計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27aXD-2 AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-61 複数領域ハイブリッド法の応用 : AFM 探針構造の大規模計算(領域 9)
- 31aWD-5 水素終端 Si 表面におけるドーバントペア構造の量子効果
- TiSi_2の圧力誘起C54-C49構造相転移の理論的研究
- 第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 7a-PS-30 Si(001)表面のSiダイマーの拡散と凝集
- 29a-PS-1 Si(001)表面のSiダイマー拡散
- アトムテクノロジ-研究体におけるVPP500の応用事例 (特集 HPC(High Performance Computing))
- 30a-PS-9 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析II
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
- 24pZN-4 AFM像におよぼす探針先端構造効果
- 28a-PS-127 Lippmann-Schwinger方程式の効率的解法
- 5a-H-13 Si(001)表面のC-型欠陥の構造安定性 : intrinsicモデルと不純物モデルの比較
- 3a-K-6 水素化シリコンクラスターの安定構造
- 31p-PSB-21 Si(001)表面のC欠陥II
- 29p-PSB-31 シリコンクラスターの構造安定性に対する水素化の効果
- 31a-J-1 第一原理計算による水素終端Si(100)面上のAl原子吸着
- 12a-A-12 TiSi_2構造の擬ポテンシャル法による検討
- 13a-PS-1 PWPP-CP法によるSi(001)表面の水素吸着構造
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 27a-PS-10 Si(100)面における初期酸化進行過程(II)
- 23pRJ-3 第一原理計算によるSiON膜のデザインと実現(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 第一原理計算によるSi表面酸化過程の考察
- 31a-PS-21 Si(100)面における初期酸化進行過程
- 6a-B-11 Si(100)面の酸化反応のactive mode
- 15p-DJ-3 Si表面上のハロゲン原子によるダイナミクス
- 27a-ZG-20 Si中の格子間原子による不純物拡散機構
- 29p-K-10 第一原理分子動力学法による格子間Si原子の熱拡散過程
- 非接触原子間力顕微鏡の理論
- 31p-S-12 第一原理計算によるSi(001)表面の結晶成長素過程の解析
- 31a-S-12 Si(001)表面上の欠陥構造と電子状態
- 2p-PSA-2 Si(001)表面マイグレーション : ダイマーバックリングの与える効果
- 計算化学統合プラットフォームSCIGRESSの適用事例 (特集 材料設計ソリューションの開発・利用の現状と課題) -- (個別ソリューション・プラットフォーム事例)
- 原子・分子極限操作における理論の役割--ス-パ-コンピュ-タで見るミクロの世界--実験主導型から理論主導型を目指して (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pJB-8 Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWD-11 NOによるSi(100)の酸窒化反応過程(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))