高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
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概要
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- 2006-06-28
著者
-
松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
佐久間 究
東芝
-
三谷 祐一郎
東芝
-
加藤 弘一
東芝基礎研
-
村岡 浩一
東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
中崎 靖
東芝
-
三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
東芝R&Dセンター
-
加藤 弘一
東芝R&Dセンター
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