三谷 祐一郎 | 東芝
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概要
関連著者
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三谷 祐一郎
東芝
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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藤田 忍
(株)東芝
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藤田 忍
大阪市立大学
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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佐久間 究
東芝
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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杉山 直治
芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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平野 泉
(株)東芝研究開発センター
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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江口 和弘
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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藤田 忍
(株)東芝研究開発センター
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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関根 克行
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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加藤 弘一
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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菊地 祥子
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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佐久間 究
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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加藤 弘一
東芝基礎研
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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飯島 良介
東芝
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山口 豪
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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平野 泉
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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飯島 良介
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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江口 和弘
株式会社東芝セミコンダクター社
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三谷 祐一郎
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
東芝 Lsi基盤技術ラボラトリー
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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福島 伸
東芝 研開セ
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松澤 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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大場 竜二
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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藤田 忍
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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三谷 祐一郎
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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杉山 直治
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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藤田 忍
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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松澤 一也
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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福島 伸
(株)東芝
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中崎 靖
(株)東芝
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中崎 靖
東芝
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝
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平野 泉
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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陳 杰智
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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加藤 弘一
東芝R&Dセンター
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加藤 弘一
東芝R&Dセンター
著作論文
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術
- ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
- ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明
- 極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案
- ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)