極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
- 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
- 次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術
- ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響
- ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明
- 極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案
- ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)