二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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二重接合トンネルを利用することにより、窒化膜トラップ浮遊ゲート型メモリが、ゲート長35nmにおいて、低電圧書込・消去と10^6回の書込消去回数耐性と4桁以上の保持を両立できることを実証します。これは二重トンネル酸化膜に挟まれたSiナノ微粒子中のクーロンブロッケイド効果と量子閉じ込め効果によるものであり、Siナノ微粒子の微小化によりさらに記憶保持を上げることが可能です。二重接合トンネルを用いた浮遊ゲート型メモリは35nm以下の領域での有望な次世代メモリと考えられます。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-06
著者
-
藤田 忍
東芝研究開発センター
-
三谷 祐一郎
東芝
-
大場 竜二
東芝研究開発センター
-
杉山 直治
芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
大場 竜二
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
-
三谷 祐一郎
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
-
杉山 直治
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
-
藤田 忍
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
-
大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
-
大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
藤田 忍
(株)東芝
-
三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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