杉山 直治 | 芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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杉山 直治
芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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三谷 祐一郎
東芝
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大場 竜二
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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藤田 忍
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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藤田 忍
(株)東芝
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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藤田 忍
大阪市立大学
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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三谷 祐一郎
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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杉山 直治
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
-
藤田 忍
東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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杉山 直治
東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所
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内田 健
東芝研究開発センターLSI基盤技術研究所
著作論文
- 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 二重Si量子ドットメモリにおける量子ドット径の微小化と不揮発性の実証
- シリコンを用いた発光素子の可能性--"新物質"シリコンナノクリスタルを用いた発光素子の試作