藤田 忍 | 東芝 研究開発センター LSI基盤技術研究所
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概要
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著作論文
- 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
- A-1-27 Random Greedy手法を用いた耐欠陥3Dクロスバーバス回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- D-18-2 FPGA応用を目指した不揮発メモリ特性の回路性能評価による設計(D-18.リコンフィギャラブルシステム,一般セッション)