大場 竜二 | (株)東芝セミコンダクター社

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• 大場 竜二

  東芝研究開発センター

• 大場 竜二

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• 大場 竜二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 藤田 忍

  東芝研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 内田 建

  東芝研究開発センター (株)東芝

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  東芝

• 大場 竜二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 棚本 哲史

  (株)東芝研究開発センター

• 藤田 忍

  (株)東芝

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• 古賀 淳二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 藤田 忍

  大阪市立大学

• 藤田 忍

  (株)東芝研究開発センター

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  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 高木 信一

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 杉山 直治

  芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 松本 麻里

  東芝研究開発センター

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• 安部 恵子

  東芝 研究開発センター

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• 野崎 華恵

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• 安部 恵子

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• 沼田 敏典

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• 古賀 淳二

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• 内田 建

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• 内田 建

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  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 大場 竜二

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• 杉山 直治

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  大阪市立大学生活科学部居住環境学科

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  東芝エレクトロニクス韓国社

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著作論文

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• 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
• SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
• シリコンを使った新しい素子をめざして (特集:Siナノデバイス)
• C-12-43 SiN MOSFETと論理ゲートから構成される物理乱数生成回路(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
• 超小型乱数発生素子 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
• 12pYC-9 量子細線脇におかれた量子ドットの伝導に与える効果(量子細線, 領域 4)
• 暗号セキュリティ向け乱数生成回路用シリコンナノデバイス
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)
• 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
• 二重接合トンネルを用いた35nm浮遊ゲート型MOSFETメモリ素子(新メモリ技術とシステムLSI)
• 二重Si量子ドットメモリにおける量子ドット径の微小化と不揮発性の実証
• シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
• SiリッチSiN MOSFETを用いた高速乱数生成器 (特集 情報セキュリティ技術)
• 超低消費電力LSIを実現する単一電子デバイス (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
• CMOS結合型単一電子素子の研究開発 (特集 量子化機能素子プロジェクト)
• セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路

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