棚本 哲史 | (株)東芝研究開発センター

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概要

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関連著者

• 棚本 哲史

  (株)東芝研究開発センター

• 藤田 忍

  東芝研究開発センター

• 棚本 哲史

  東芝研究開発センター

• 大場 竜二

  東芝研究開発センター

• 大場 竜二

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大場 竜二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 藤田 忍

  (株)東芝

• 造田 安民

  東京工科大学

• 安田 心一

  東芝研究開発センター

• 藤田 忍

  (株)東芝研究開発センター

• 斉藤 好昭

  (株)東芝 研究開発センター

• 井口 智明

  (株)東芝 研究開発センター

• 斉藤 好昭

  株式会社東芝研究開発センター

• 大場 竜二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 棚本 哲史

  東芝研開セ

• 内田 建

  東芝研究開発センター (株)東芝

• 安田 心一

  (株)東芝研究開発センター

• 斉藤 好昭

  東芝 研開セ

• 斉藤 好昭

  (株)東芝研究開発センター

• 成瀬 雄二郎

  東芝研究開発センター

• 藤田 忍

  大阪市立大学

• 安部 恵子

  東芝 研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 杉山 英行

  (株)東芝 研究開発センター

• 加藤 理一

  東芝研究開発センター

• 造田 安民

  東芝研究開発センター

• 野津 哲郎

  東芝研究開発センター

• Hu X.

  ニューヨーク州立大

• Liu Y.

  理研

• Nori F.

  理研

• 小原 正生

  東芝 研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 野崎 華恵

  (株)東芝研究開発センター

• 野崎 華恵

  東芝研究開発センター

• 松本 麻里

  東芝研究開発センター

• 丸亀 孝生

  (株)東芝研究開発センター

• 石川 瑞恵

  (株)東芝研究開発センター

• 加藤 理一

  (株)東芝 研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所

• 古賀 淳二

  東芝

• 安部 恵子

  (株)東芝

• 斉藤 好昭

  東芝

• 高橋 茂樹

  東芝研究開発センター

• 池川 純夫

  (株)東芝研究開発センター

• 與田 博明

  (株)東芝

• 内田 建

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 佐波 実

  東芝研究開発センター

• 浩田 安民

  東芝研究開発センター

• 小原 正生

  東芝研究開発センター

• 造田 安民

  東芝総研

• 棚本 哲史

  東芝総研

• 野津 哲郎

  東芝総研

• 津田 邦男

  東芝総研

• 小原 正生

  東芝総研

• 西 義史

  (株)東芝研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー

• 野崎 華恵

  東芝研究開発センターコンピュータ・ネットワークラボラトリー

• 内田 建

  東芝研究開発センター

• 安田 心一

  株式会社東芝研究開発センター

• 棚本 哲史

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  (株)東芝

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• 藤田 忍

  東芝研開セ

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  理研

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  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

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• 古賀 淳二

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• 大場 竜二

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 安田 心一

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• 藤田 忍

  (株)束芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 高橋 茂樹

  (株)東芝 研究開発センター

• 藤田 忍

  大阪市立大学生活科学部居住環境学科

• 下村 尚治

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• 下村 尚治

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• 與田 博明

  東芝 研開セ

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  理研:ミシガン大

• 與田 博明

  東芝エレクトロニクス韓国社

• 松本 麻里

  (株)東芝研究開発センター

• 池川 純夫

  東芝エレクトロニクス韓国社

• 藤田 忍

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著作論文

• 情報セキュリティ向け超小型物理乱数生成回路(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 29pYA-14 単一電子素子による二量子ビットの観測理論(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
• 22aTH-3 量子ポイントコンタクトによる二量子ビットの観測理論
• 27aYN-3 結合量子ドットによる量子ゲートと電界効果による測定過程
• 4a-J-1 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良II
• 4p-J-1 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良II
• 量子配線QICの基礎検討
• 量子配線の概念拡張に関する基礎検討
• 12a-K-6 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良
• 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II
• 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
• 24pTH-7 非一様環境下における電荷量子ビットクラスター状態のロバスト性(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pRC-9 電荷量子ビットにおけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• C-12-43 SiN MOSFETと論理ゲートから構成される物理乱数生成回路(C-12. 集積回路ABC(測定・評価),一般セッション)
• 24aXJ-3 電荷及び磁束量子ビットにおけるクラスター状態の形成方法(24aXJ 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 超小型乱数発生素子 (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
• 19pWF-2 電荷量子ビットのデコヒーレンス・フリー状態への局所的不均一性の効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12pYC-9 量子細線脇におかれた量子ドットの伝導に与える効果(量子細線, 領域 4)
• 暗号セキュリティ向け乱数生成回路用シリコンナノデバイス
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
• 28a-F-12 量子ドットにおける共鳴トンネル磁気抵抗効果の解析
• 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 12a-K-6 共鳴トンネルのバレー電流 : 光学模型の改良
• セキュリティネットワークを支える物理乱数生成技術[IV] : 先端半導体デバイスを用いた物理乱数生成回路
• 先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術

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