内田 建 | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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内田 建
東京工業大学
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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土屋 義則
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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齋藤 真澄
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小林 茂樹
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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藤田 忍
東芝研究開発センター
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藤田 忍
(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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安田 心一
(株)東芝研究開発センター
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沼田 敏典
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小林 茂樹
東芝研究開発センター
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小林 茂樹
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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藤田 忍
(株)東芝
著作論文
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- SC-9-6 トンネル効果を利用したシリコン機能デバイス
- [招待講演]シリコン単電子素子とその応用
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-k 及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係
- シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性