高木 信一 | (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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概要
関連著者
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝
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内田 建
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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大場 竜二
東芝研究開発センター
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内田 建
東芝研究開発センター (株)東芝
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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大場 竜二
(株)東芝セミコンダクター社
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大場 竜二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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渡辺 浩志
株式会社東芝LSI基板技術ラボラトリー
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野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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水野 智久
MIRAI-AIST
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水野 智久
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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杉山 直治
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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手塚 勉
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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黒部 篤
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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畠山 哲夫
個別半導体基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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黒部 篤
東芝 研開セ
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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高木 信一
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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渡辺 浩志
(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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高木 信一
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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畠山 哲夫
(株)東芝 研究開発センター 個別半導体基盤技術ラボラトリー
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Usuda Koji
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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安田 直樹
(株)東芝 ULSI研究所
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島海 明
(株)東芝 ULSI研究所
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早坂 伸夫
(株)東芝 UL研
著作論文
- 量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
- ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子
- SiMOS反転層モビリティにおけるクーロン散乱および表面ラフネス散乱の電子濃度依存性
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源
- 28a-K-3 無水HFガスによるin-situ自然酸化膜エッチング機構
- ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
- ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
- 2-1 Si MOSFETの微細化限界 : 2. ナノエレクトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子