水野 智久 | MIRAI-AIST
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概要
関連著者
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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水野 智久
MIRAI-AIST
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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中払 周
MIRAI-ASET
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守山 佳彦
MIRAI-ASET
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水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
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前田 辰郎
MIRAI-AIST
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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古賀 淳二
東芝
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高木 信一
東京大学
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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水野 智久
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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杉山 直治
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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手塚 勉
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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黒部 篤
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
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畠山 哲夫
個別半導体基盤技術ラボラトリー
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黒部 篤
東芝 研開セ
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平下 紀夫
MIRAI-ASET
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豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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沼田 典則
半導体MIRAIプロジェクト
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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畠山 哲夫
(株)東芝 研究開発センター 個別半導体基盤技術ラボラトリー
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Usuda Koji
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- ひずみSOI-CMOS素子 : Si格子定数の変調技術を用いた高速SOI素子技術
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
- ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
- ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET