中払 周 | MIRAI-ASET
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概要
関連著者
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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中払 周
MIRAI-ASET
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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守山 佳彦
MIRAI-ASET
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水野 智久
MIRAI-AIST
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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高木 信一
東京大学
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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平下 紀夫
MIRAI-ASET
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豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
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前田 辰郎
MIRAI-AIST
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
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入沢 寿史
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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臼田 宏治
MIRAI-ASET
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高木 信一
Toshiba Ceramics
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
著作論文
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))