前田 辰郎 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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水野 智久
MIRAI-AIST
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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高木 信一
東京大学
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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前田 辰郎
MIRAI-AIST
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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板谷 太郎
産業技術総合研究所
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安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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中払 周
MIRAI-ASET
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守山 佳彦
MIRAI-ASET
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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卜部 友二
産業技術総合研究所
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石井 裕之
産業技術総合研究所
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福原 昇
住友化学
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星井 拓也
東京大学
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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竹中 充
東京大学
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
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古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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横山 正史
東京大学
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安田 哲二
産業技術総合研究所
-
西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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森田 行則
半導体mirai産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
山田 永
住友化学
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古賀 淳二
東芝
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
著作論文
- Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
- Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能ひずみSOI-CMOS素子技術 : キャリア移動度劣化機構と素子設計
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))