宮田 典幸 | 産業技術総合研究所

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概要

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• 産業技術総合研究所の論文著者

関連著者

• 宮田 典幸

  産業技術総合研究所

• 山田 永

  住友化学(株)筑波研究所

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構量子ドットセンター

• 竹中 充

  東京大学 先端科学技術研究センタ

• 板谷 太郎

  産業技術総合研究所

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター

• 高木 信一

  東京大学

• 横山 正史

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 卜部 友二

  産業技術総合研究所

• 石井 裕之

  産業技術総合研究所

• 前田 辰郎

  産業技術総合研究所

• 福原 昇

  住友化学

• 星井 拓也

  東京大学

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 竹中 充

  東京大学

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター

• 横山 正史

  東京大学

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構

• 山田 永

  住友化学

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター

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著作論文

• Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
• III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

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