福原 昇 | 住友化学

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概要

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関連著者

• 福原 昇

  住友化学

• 秦 雅彦

  住友化学

• 山田 永

  住友化学(株)筑波研究所

• 高木 信一

  東京大学

• 山田 永

  住友化学

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構量子ドットセンター

• 竹中 充

  東京大学 先端科学技術研究センタ

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 板谷 太郎

  産業技術総合研究所

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター

• 田岡 紀之

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 宮田 典幸

  産業技術総合研究所

• 卜部 友二

  産業技術総合研究所

• 石井 裕之

  産業技術総合研究所

• 前田 辰郎

  産業技術総合研究所

• 星井 拓也

  東京大学

• 横山 正史

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 金 相賢

  東京大学電気系工学専攻

• 中根 了昌

  東京大学電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学電気系工学専攻

• 田岡 紀之

  東京大学電気系工学専攻

• 安田 哲二

  産業総合研究所

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学電気系工学専攻

• 秦 雅彦

  住友化学(株)筑波研究所

• 竹中 充

  東京大学

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 横山 正史

  東京大学

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構

• 飯田 亮

  東京大学電気系工学専攻

• 李 成薫

  東京大学電気系工学専攻

• 卜部 友二

  産業総合研究所

• 宮田 典幸

  産業総合研究所

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著作論文

• Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
• High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• MOCVD法による化合物半導体エピタキシャル成長(3)
• MOCVD法による化合物半導体エピタキシャル成長 (特集 電子・情報関連)
• Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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