高木 信一 | 半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学
-
横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
横山 正史
東京大学電気系工学専攻
-
杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
-
横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
-
中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
横山 正史
東京大学
-
中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
-
横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
-
中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
-
安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
福原 昇
住友化学
-
金 相賢
東京大学電気系工学専攻
-
田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
-
安田 哲二
産業総合研究所
-
高木 信一
東京大学電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学
-
山田 永
住友化学
-
山田 永
住友化学(株)筑波研究所
-
秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
-
竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
-
佐藤 岳志
日立ハイテクノロジーズ
-
田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
森井 清仁
東京大学
-
岩崎 敬志
東京大学
-
中根 了昌
東京大学
-
宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
松本 弘昭
日立ハイテクノロジーズ
-
趙 毅
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
小山 晋
日立ハイテクノロジーズ
-
高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
-
李 成薫
東京大学電気系工学専攻
-
卜部 友二
産業総合研究所
-
宮田 典幸
産業総合研究所
-
森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
高木 信一
東京大学工学系研究科
-
竹中 充
東京大学工学系研究科
著作論文
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 大規模集積回路と半導体材料技術の現状と将来
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)