竹中 充 | 東京大学電気系工学専攻
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概要
関連著者
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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竹中 充
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半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
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武田 浩司
東京大学先端科学技術研究センター
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中野 義昭
東京大学先端研
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東京大学
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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財津 優
東京大学先端科学技術研究センター
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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財津 優
東京大学 先端科学技術研究センター
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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竹中 充
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金間 泰樹
東京大学先端科学技術研究センター
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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ソーアンジ イブラヒム・ムラット
東京大学先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
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ソーアンジ イブラヒム
東京大学先端科学技術研究センター
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横山 正史
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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ソーアンジ イブラーヒム・ムラット
東京大学先端科学技術研究センター
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財津 優
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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金 相賢
東京大学電気系工学専攻
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田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
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東京大学電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学工学系研究科
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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福原 昇
住友化学
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山田 永
住友化学
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センタ
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
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武田 浩司
東京大学 先端科学技術研究センター
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アルアミン アブドゥラー
東京大学先端科学技術研究センター
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森井 清仁
東京大学
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岩崎 敬志
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中根 了昌
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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ソーアンジ イブラーヒム・ムラット
東京大学 先端科学技術研究センター
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飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
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李 成薫
東京大学電気系工学専攻
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卜部 友二
産業総合研究所
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宮田 典幸
産業総合研究所
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福原 昇
東京大学電気系工学専攻
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山田 永
東京大学電気系工学専攻
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秦雅 彦
東京大学電気系工学専攻
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張 睿
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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林 汝静
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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黄 博勤
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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横山 正史
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市川 磨
住友化学
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張 志宇
東京大学工学系研究科
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金 相賢
東京大学工学系研究科
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長田 剛規
住友化学
著作論文
- 伸張歪MQWを用いたMMI-BLDの偏波無依存フリップ・プロップ動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分布ブラッグ反射鏡を用いた全光フリップ・フロップの波長可変特性
- B-12-4 フェーズアレイ型1×N半導体光スイッチのスケーラビリティ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 大規模集積回路と半導体材料技術の現状と将来
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解
- Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeO_x/Ge界面による移動度の向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- InGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与えるメタルゲート電極の影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)