田岡 紀之 | 半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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概要
関連著者
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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高木 信一
東京大学
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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山下 良美
Mirai-aset
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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金 相賢
東京大学電気系工学専攻
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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山下 良美
半導体MIRAI-ASET
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原田 真臣
半導体MIRAI-ASET
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原田 正臣
MIRAI-ASET
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木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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福原 昇
住友化学
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
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安田 哲二
産業総合研究所
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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高木 信一
東京大学電気系工学専攻
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秦 雅彦
住友化学
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山田 永
住友化学
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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木曽 修
半導体MIRAI-産総研ASRC
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高木 信一
東大院工
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池田 圭司
MIRAI-ASET
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鈴木 邦広
MIRAI-ASET
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田岡 紀之
MIRAI-産総研ASRC
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
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李 成薫
東京大学電気系工学専攻
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卜部 友二
産業総合研究所
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宮田 典幸
産業総合研究所
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
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水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
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太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
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田岡 紀之
東京大学大学院工学系研究科
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金 相賢
東京大学大学院工学系研究科
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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鈴木 麗菜
東京大学大学院工学系研究科
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 招待講演 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn[x]Ga[l-x]As MOSFETの移動度向上とその物理的理解 (シリコン材料・デバイス)
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性