右田 真司 | 半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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鳥海 明
東京大学
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
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平野 晃人
半導体MIRAI-ASET
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渡邉 幸宗
半導体MIRAI-ASET
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生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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水林 亘
産業技術総合研究所
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水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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高橋 正志
半導体mirai-aset
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科
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小川 有人
半導体MIRAI-ASET
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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秋山 浩二
半導体MIRAI-ASET
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岡田 健治
半導体MIRAI-ASET
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堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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高木 信一
東京大学
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宮田 典幸
アトムテクノロジー研究体
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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宮田 典幸
次世代半導体研究センター
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宮田 典幸
半導体MIRAI-産総研ASRC
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藤井 眞治
半導体MIRAI-ASET
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Okada K
Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn
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岡田 健治
松下電器産業(株)
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藤井 眞治
半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc
-
布重 裕
芝浦工業大学大学院 工学研究科
著作論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)