田岡 紀之 | 半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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著作論文
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- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響