SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
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概要
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- 2008-09-27
著者
-
田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
山下 良美
Mirai-aset
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
山下 良美
半導体MIRAI-ASET
-
木曽 修
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
高木 信一
東大院工
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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