濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション
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概要
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濃度勾配法のキャリア濃度としてFangの試行関数を代入し、量子補正ポテンシャルを基板表面からの単純な距離の関数とした。この量子補正ポテンシャルを電流密度の式のドリフト項に加えることによって、実効的に界面量子化の効果をデバイス・シミュレータに導入した。Schrodinger-Poisson計算を再現するように垂直方向の有効質量を調整した上で、実測値との比較を行った。複数のゲート酸化膜厚と基板不純物濃度のMOSFETについて、ゲート容量のゲート電圧依存性をシミュレーションしたところ、実測値を良好に再現することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
-
松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
谷本 弘吉
東芝セミコンダクター社
-
高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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