90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(<IEDM特集>先端CMOSデバイス・プロセス技術)
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概要
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SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb SOI DRAMを試作し良好な結果を得た.フルファンクションと良好なリテンション特性を得るためにウェル構造の最適化を行い, 配線抵抗増大による信号劣化を抑えるためにソース線とビット線にCu配線を採用した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-13
著者
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
坂本 篤史
東芝情報システム(株)
-
東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
森門 六月生
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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