リソグラフィー優先設計の6F^2型DRAMセル
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概要
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低コストの1GDRMを実現するためのビット線後作り型メモリセルを提案した. セルレイアウトは6F^2型オープンビット線配置で, 各レイヤのデザインはリソグラフィーのパフォーマンスを最大に引き出すことを最優先している. 工程的には, 合わせ余裕を確保するため, 自己整合プロセスをできる限り採用した. 0.4μmデザインルールを用いた試作結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-23
著者
-
尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
石橋 裕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
石橋 裕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
川口谷 ひとみ
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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