低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
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概要
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本論文では、4Gb以降のDRAMに適した1/4 Vccビット線振幅方式を提案する。本方式は、読み出し信号量を従来の4倍にできる信号量増加メモリセルを用い、ビット線振幅を電源電圧の1/4(1V 4Gb DRAMで250mV)に低減することで、従来と同等の読み出し信号量を確保しつつ低消費電力を実現する。また、本方式はメモリセルトランジスタとメモリセルキャパシタのストレス電界を従来の1/2に低減し、デバイスの信頼性を向上させる。加えて、閾値電圧よりも小さい250mVのビット線振幅においても高速かつ安定な動作をする新センスアンプも提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
-
高島 大三部
(株)東芝ULSI研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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