SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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概要
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近年、携帯用電子機器の普及に伴い低消費電力LSIの要求が急速に増加している。LSIの消費電力を抑えるためには、素子寸法を縮小することと動作電圧を低減することが有効である。動作電圧を低減するために、ボディ電位をダイナミックに制御したSOI MOSFETが提案されている。このSOI MOSFETは、非動作時のカットオフリークを抑えながら、動作時のしきい値電圧を下げることができる。しかしながら、このボディ電位をダイナミックに制御したSOI MOSFETの最大の利点を与える回路技術は報告されていない。そこで、このようなSOI MOSFETに最適な回路技術を開発した^<2)>。本報告では、0.5V以下の最小動作電圧と最小トランジスタ寸法を与えるSOI MOSFETパスゲートロジックの設計法について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
布施 常明
東芝セミコンダクター社
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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