吉見 信 | (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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概要
関連著者
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉見 信
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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鴨志田 昌弘
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
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(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝 ソフトウェアプロダクト部
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東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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吉見 信
株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部
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鈴木 健
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
著作論文
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- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 最近のSOI(silicon-on-insulator)素子技術