南 良博 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

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概要

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関連著者

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 浜本 毅司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 東 知輝

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 藤田 勝之

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤田 勝之

  Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 山田 浩玲

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 初田 幸輔

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 森門 六月生

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 梶山 健

  (株)東芝 SoC 研究開発センター

• 池橋 民雄

  (株)東芝セミコンダクター社

• 福住 嘉晃

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 梶山 健

  (株)東芝研究開発センター

• 池橋 民雄

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

• 初田 幸輔

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 渡辺 重佳

  (株)東芝技術企画室

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 坂本 篤史

  東芝情報システム(株)

• 楠 直樹

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 仁田山 晃寛

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 仁田山 晃寛

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 仁田山 晃寛

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 楠 直樹

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 谷本 弘吉

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 川中 繁

  東芝 システムLSI開発センター

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 谷本 弘吉

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• 布施 常明

  (株)東芝 ULSI研究所

• 福田 良

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 松岡 史宜

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 松永 準一

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 幾見 宣之

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 幾見 宣之

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 松岡 史宜

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 福田 良

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 渡辺 陽二

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 西村 潤

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 谷本 弘吉

  東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ

• 渡辺 陽二

  (株)東芝半導体研究開発センター

• 布施 常明

  東芝セミコンダクター社

• 松永 準一

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

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著作論文

• 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
• 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
• SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
• Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
• ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
• 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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