井納 和美 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
森門 六月生
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
池橋 民雄
(株)東芝セミコンダクター社
-
福住 嘉晃
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
梶山 健
(株)東芝研究開発センター
-
井納 和美
株式会社東芝
-
池橋 民雄
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
林 久貴
(株)東芝セミコンダクター社
-
佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
-
平野 智之
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
幡野 正之
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
竹中 圭一
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
石行 一貴
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
井田 和彦
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
-
松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
坂本 篤史
東芝情報システム(株)
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中島 博臣
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
篠 智彰
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
佐藤 力
株式会社東芝セミコンダクター社
-
幡野 正之
株式会社東芝セミコンダクター社
-
竹中 圭一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
林 久貴
株式会社東芝セミコンダクター社
-
石行 一貴
株式会社東芝セミコンダクター社
-
平野 智之
株式会社東芝セミコンダクター社
-
井田 和彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
大黒 達也
株式会社東芝セミコンダクター社
-
東 篤志
東芝
-
布施 常明
東芝セミコンダクター社
-
松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
-
谷本 弘吉
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
大黒 達也
株式会社東芝
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
-
吉野 千博
東芝セミコンダクター社
-
綱島 祥隆
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
新居 英明
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
林 久貴
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
青木 伸俊
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
大黒 達也
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
水島 一郎
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
谷本 弘吉
東芝 研究開発セ デバイスプロセス開発セ
-
松澤 一也
東芝 研究開発センター
-
井納 和美
東芝 システムLSI開発センター
-
勝又 康弘
東芝 システムLSI開発センター
-
吉見 信
東芝 システムLSI開発センター
-
石内 秀美
東芝 システムLSI開発センター
-
宮川 裕之
東芝セミコンダクター社
-
中島 博臣
東芝セミコンダクター社
-
川井 博文
東芝セミコンダクター社
-
菅谷 弘幸
東芝セミコンダクター社
-
滝本 一浩
東芝セミコンダクター社
-
新居 英明
東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社 東芝
著作論文
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 低消費電力型BiCMOS用シャロウトレンチ最適化の検討