井納 和美 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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概要
関連著者
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
著作論文
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用