青木 伸俊 | 東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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山内 淳
慶大理工
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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松沢 一也
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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谷本 弘吉
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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佐々木 貴彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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中村 雅一
(株)東レリサーチセンター表面科学研究部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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佐々木 貴彦
株式会社東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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林 久貴
(株)東芝セミコンダクター社
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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平野 智之
株式会社 東芝セミコンダクター社
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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幡野 正之
株式会社 東芝セミコンダクター社
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竹中 圭一
株式会社 東芝セミコンダクター社
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石行 一貴
株式会社 東芝セミコンダクター社
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井田 和彦
株式会社 東芝セミコンダクター社
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水島 一郎
マイクロエレクトロニクス研
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山内 淳
東芝基礎研
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遠田 利之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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須藤 裕之
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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外園 明
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水野 央之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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馬越 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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清水 敬
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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森 伸二
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小熊 英樹
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊之
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大村 光弘
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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初田 幸輔
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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冨田 寛
(株)東芝セミコンダクター社
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初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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坂本 篤史
東芝情報システム(株)
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東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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森門 六月生
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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仁田山 晃寛
(株)東芝 セミコンダクター社
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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馬越 俊幸
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐藤 力
株式会社東芝セミコンダクター社
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幡野 正之
株式会社東芝セミコンダクター社
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竹中 圭一
株式会社東芝セミコンダクター社
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林 久貴
株式会社東芝セミコンダクター社
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石行 一貴
株式会社東芝セミコンダクター社
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平野 智之
株式会社東芝セミコンダクター社
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井田 和彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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大黒 達也
株式会社東芝セミコンダクター社
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山内 淳
東芝 基礎研
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青木 伸俊
東芝マイクロエレクトロニクス研
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水島 一郎
東芝マイクロエレクトロニクス研
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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金村 貴永
半導体研究開発センター
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泉田 貴士
半導体研究開発センター
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青木 伸俊
半導体研究開発センター
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近藤 正樹
半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
半導体研究開発センター
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遠田 利之
半導体研究開発センター
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岡野 王俊
半導体研究開発センター
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川崎 博久
半導体研究開発センター
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八木下 淳史
プロセス技術推進センター
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金子 明生
プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
半導体研究開発センター
-
中村 光利
半導体研究開発センター
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石丸 一成
半導体研究開発センター
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須黒 恭一
プロセス技術推進センター
-
江口 和弘
プロセス技術推進センター
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石内 秀美
半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩出 健次
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中村 光利
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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金子 明生
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大村 光広
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
松尾 浩司
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
岡野 王俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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川崎 博久
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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柴田 英毅
(株)東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
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来栖 貴史
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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和田 真
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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梶田 明広
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
松永 範昭
東芝
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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張 利
(株)東芝研究開発センター
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楠 直樹
システムLSIデバイス技術開発部
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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綱島 祥隆
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社
-
新居 英明
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
林 久貴
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
青木 伸俊
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
大黒 達也
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
水島 一郎
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
山内 淳
(株)東芝研究開発センター
-
下川 淳二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
谷本 弘吉
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センター
著作論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- 26aYL-3 第一原理計算によるSi結晶中のB_2クラスターの振動モード解析
- 31a-ZA-13 Si中の不純物による共鳴振動モードの第一原理的研究
- SCM測定のシミュレーション解析
- 8a-S-10 第一原理計算によるSi中のBクラスターのRaman及びIRスペクトルの研究
- 31a-E-2 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究III
- 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究II
- SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- 3a-M-9 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 耐圧計算における物理モデルの検討