石丸 一成 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

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概要

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• 小島 健嗣

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• 小島 健嗣

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• 川崎 博久

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• 藤原 実

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• 宮野 清孝

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• 藤原 実

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• 宮野 清孝

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• 宮野 清孝

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• 綱島 祥隆

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• 金子 明生

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• 八木下 淳史

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• 江口 和弘

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• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

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• 安武 信昭

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• 諸岡 哲

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• 豊島 義明

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• 大内 和也

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• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 石田 達也

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• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 諸岡 哲

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• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 須藤 裕之

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• 安達 甘奈

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• 馬越 俊之

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• 清水 敬

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• 森 伸二

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• 小熊 英樹

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• 佐々木 俊之

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• 大村 光弘

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• 山田 浩玲

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• 冨田 寛

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• 松下 大介

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• 村岡 浩一

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• 須黒 恭一

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• 冨田 寛

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• 外園 明

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• 佐々木 貴彦

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• 大塚 伸朗

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• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 岡山 康則

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• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金村 貴永

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• 伊藤 早苗

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• 小野 高稔

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• 矢橋 勝典

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• 岩出 健次

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• 窪田 壮男

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• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

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• 関根 克行

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• 大黒 達也

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• 大黒 達也

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• 大黒 達也

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  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百瀬 寿代

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 東 篤志

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• 各務 正一

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  半導体MIRAI-ASET

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• 東 篤志

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• 青木 伸俊

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• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 松岡 史倫

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• 矢橋 勝典

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• 笠井 邦弘

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• 楠 直樹

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• 川中 繁

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• 東 篤志

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• 小山 正人

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• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 小山 正人

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• 海野 ゆかり

  東芝マイクロエレクトロニクス

• 小池 正浩

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• 上牟田 雄一

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• 西山 彰

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• 長友 浩二

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  (株)東芝マイクロエレクトロニクス

• 西山 彰

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• 小山 正人

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著作論文

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• 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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