関根 克行 | 東芝 セミコンダクター社
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概要
関連著者
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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関根 克行
東芝セミコンダクター社
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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関根 克行
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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三谷 祐一郎
東芝
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後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長友 浩二
東芝
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飯島 良介
東芝
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東 篤志
東芝
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辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
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市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
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平野 泉
(株)東芝研究開発センター
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辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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長友 浩二
東芝セミコンダクター社
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中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
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後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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犬宮 誠治
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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福井 大伸
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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綱島 祥隆
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
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井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
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丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
-
鎌田 善己
東芝
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小山 正人
東芝
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山口 豪
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
平野 泉
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
飯島 良介
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
江口 和弘
株式会社東芝セミコンダクター社
-
三谷 祐一郎
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
福島 伸
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
土屋 義規
東芝 研究開発センター
-
吉木 昌彦
東芝 研究開発センター
-
青山 知憲
東芝 セミコンダクター社
-
福島 伸
東芝 研開セ
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佐藤 基之
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
-
江口 和弘
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
-
渡部 宏治
NECエレクトロニクス(株)
-
福島 伸
(株)東芝
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
中崎 靖
(株)東芝
-
中崎 靖
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
-
井野 恒洋
東芝
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渡部 宏治
Necエレクトロニクス
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- 次世代高誘電率ゲート絶縁膜HfSiONのしきい値劣化機構と寿命予測技術